ii. manufacturing 信息
一个. description/函数: ±15kv 静电释放-保护, 单独的cmos 转变 debouncers
b. 处理: s3 (标准 3 micron 硅 门 cmos)
c. number 的 设备 晶体管: 284
d. fabrication location: oregon, usa
e. assembly location: 马来西亚 或者泰国
f. 日期 的 最初的 生产: january, 1999
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
4-管脚 sot143
b. 含铅的 框架: 合金 42或者 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-Filled环氧的
e. bondwire: 金 (1.0 mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 图解: # 05-1601-0055
h. flammability 比率: 类 ul94-V0
i.分类 的 潮气 敏锐的
每 电子元件工业联合会 standard jesd22-a112: 水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 43x 30毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/si (si = 1%)
d. backside 敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: 3 microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 3 microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯
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