MAX8533
欠压 重置 监控 在 全部 加载. 这 最大
门 电压 (v
GS
) 比率 必须 是 在 least
±
20v. 低
场效应晶体管 门 电容 是 不 需要 为 这
inrush 电流 限制的 因为 它 是 达到 用 限制的
这 门 dv/dt. 不管怎样, 高等级的 门 电容
增加 这 转变-止 时间 的 这 场效应晶体管 下面 故障
情况.
电流-限制 和 超载 保护
这 max8533 特性 一个 双 overcurrent 保护
电路 那 转变 止 这 场效应晶体管 在 overcurrent situa-
tions. 当 一个 超载 事件 是 sensed, 这 ic 限制
这 电流 至 一个 水平的 设置 用 iset. 持续的 超载
为 一个 时期 设置 用 这 用户 (t
CTIM
) latches 止 这
场效应晶体管. 这 severe overcurrent 保护 立即的-
ly shuts 向下 这 外部 场效应晶体管 和 latches 它 止.
r3 sets 这 电流-限制 门槛 电压. 这个 电压
是 发生 从 一个 内部的 20µa 源 驱动
通过 r3. 因此:
V
ILIM
= r3 x 20µa
这 电流-sense 信号 是 sensed 横过 电阻 r1.
和 非 加载, 这 电压 在 iset 是 这 输入 电压
加 v
ILIM
. 作 这 加载 电流 增加, 这 电压
漏出 横过 r1 增加 和 减少 这 电压 在
iset. once v
ISET
是 更小的 比 v
在
, 这 overcurrent
比较器 (图示 1) 是 tripped 和 这 max8533
enters 电流 规章制度 模式. 在 电流 regula-
tion 模式, 这 门 电压 的 这 场效应晶体管 是
decreased 至 限制 这 电流 至 这 输出. 这 maxi-
mum 时间 时期 为 这 电流 规章制度 模式 是 设置
用 这 外部 电容 在 ctim (c3). 这个 特性
准许 瞬时 电流 那 超过 这 电流 限制 至
通过 没有 关闭 向下 这 电路. 这 电流 regu-
lation 时间 时期 是 决定 作:
t
IREG
= c3 x (1.8v/20µa)
如果 t
IREG
expires 和 这 overcurrent 情况 安静的
exists, 这 场效应晶体管 是 latched 止.
这 severe overcurrent 比较器 (图示 1) trips 如果
这 漏出 横过 这 电流-sense 电阻 (r1) 是
150mv 高等级的 比 这 电流-限制 门槛 (v
在
超过 v
ISET
用 150mv). 在 一个 severe overcurrent
事件, 这 门 的 这 外部 场效应晶体管 是 牵引的 向下
和 一个 350ma 电流 源 和 latched 立即.
toggle en, lpen, 或者 输入 电源 至 clear 这 latched
故障 情况.
超（电）压 保护
这 max8533 有 一个 可调整的 超（电）压 保护
特性 那 latches 这 ic 止 在 情况 的 一个 超（电）压
事件. 一个 外部 电阻-分隔物 (r4 和 r5, 图示 2)
从 输出 至 ret 和 ovp 连接 至 这 中心,
sets 这 超（电）压 门槛. 使用 4.99k
Ω
为 r4. r5
是 决定 使用 这 下列的 等式:
r5 = 4.99 x 10
3
x ((v
OVT
/ v
OVP
) - 1)
V
OVT
是 这 desired 超（电）压 门槛 和 v
OVP
是
2v (典型值). ovp latches 止 这 max8533 如果 一个 超（电）压
情况 exists 为 1.5ms. toggle en, lpen, 或者 输入
电源 至 clear 这 latched 故障 情况.
故障 重置
overcurrent, severe overcurrent, 和 超（电）压 con-
ditions 结果 在 这 max8533 进去 一个 latched 故障
情况. toggle lpen, en, 或者 输入 电源 至 重置 这
latched 故障 情况 和 返回 至 正常的 运作.
电源-好的 输出 (pok)
pok 是 一个 打开-流 输出 使用 至 使能 这 在-
板 直流-至-直流 转换器. 这 pok 输出 转变 高
阻抗 当 这 输出 栏杆 reaches 9.6v. pok
必须 是 牵引的 向上 至 这 用户
’
s 逻辑 水平的 使用 一个
pullup 电阻.
smallest, 大多数 可依靠的, 12v, infiniband-
一致的 hot-swap 控制
8 _______________________________________________________________________________________
REF
DESIGNATOR
描述
生产者
部分 非.
C1
470µf, 25v 铝
electrolytic 电容
Sanyo
25MV470HC
C2
0.1µf
±
10%, 25v x5r
陶瓷的 电容
taiyo yuden
TMK107BJ104KA
C3
0.01µf
±
20% x7r
陶瓷的 电容
Kemet
C0606C103M4RAC
C4
0.22µf
±
10%, 25v x5r
陶瓷的 电容
TDK
C1608X5R1A224K
R1*
10m
Ω
±
1%, 0.5w
电流-sense 电阻
Dale
lrf1206-01-r010-F
R2 20
Ω
±
5% 电阻 Panasonic
R3 3.09k
Ω
±
1% 电阻 Panasonic
R4 4.99k
Ω
±
1% 电阻 Panasonic
R5 31.6k
Ω
±
1% 电阻 Panasonic
N1
n-频道 场效应晶体管,
30v, 6m
Ω
Siliconix
Si4842DY
表格 2. 外部 组件 列表 为 50w
输出
*
使用 一个 20m
Ω
±1%, 0.25w 电流-sense 电阻 为 25w
产品.
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