max8550/max8551
整体的 ddr 电源-供应 解决方案 为
desktops, notebooks, 和 graphic cards
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便条 1:
规格 至 -40°c 是 有保证的 用 设计, 不 生产 测试.
便条 2:
当 这 inductor 是 在 持续的 传导, 这 输出 电压 有 一个 直流 规章制度 水平的 高等级的 比 这 错误-compara-
tor 门槛 用 50% 的 这 波纹. 在 discontinuous 传导, 这 输出 电压 有 一个 直流 规章制度 水平的 高等级的 比 这
trip 水平的 用 大概 1.5% 预定的 至 斜度 补偿.
便条 3:
在-时间 和 止-时间 规格 是 量过的 从 50% 要点 至 50% 要点 在 这 dh 管脚 和 lx = 地, v
BST
= 5v,
和 一个 250pf 电容 连接 从 dh 至 lx. 真实的 在-电路 时间 将 differ 预定的 至 场效应晶体管 切换 speeds.
便条 4:
不 适用 至 这 max8551.
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直线的 regulators (vttr 和 vtt)
vtti 输入 电压 范围 V
VTTI
1
2.8 V
vtti 供应 电流 I
VTTI
I
VTT
= i
VTTR
= 0 <0.1 1mA
vtti 关闭 电流
SHDNA
=
SHDNB
= 地 10 µA
refin 输入 阻抗 V
REFIN
= 2.5v 12 20 30 k
Ω
refin 范围 V
REFIN
1 2.8 V
V
REFIN
rising 0.7 0.9 V
refin lockout 门槛
Hysteresis 75 mV
软-开始 承担 电流 I
SS
V
SS
= 0 4 µA
vtt 内部的 场效应晶体管 高-一侧
在-阻抗
I
VTT
= -100ma, v
VTTI
= 1.5v,
AV
DD
= 4.5v
0.3
Ω
vtt 内部的 场效应晶体管 低-一侧
在-阻抗
I
VTT
= 100ma, av
DD
= 4.5v 0.3
Ω
vtt 输出 精度
(涉及 至 v
REFIN
/ 2)
V
REFIN
= 1.5v 或者 2.5v, i
VTT
= 1ma -1 +1 %
V
REFIN
= 2.5v, i
VTT
= 0 至
±
1.5a 1
vtt 加载 规章制度
V
REFIN
= 1.5v, i
VTT
= 0 至
±
1A 1
%
vtt 电流 限制 vtt = 0 或者 vtti ±3 ±5 ±6.5 一个
vtts 输入 电流 I
VTTS
V
VTTS
= 1.5v, vtt 打开 0.1 1µA
vttr 输出 错误
(涉及 至 v
REFIN
/ 2)
V
REFIN
= 1.5v 或者 2.5v, i
VTTR
= 0 -1 +1 %
vttr 电流 限制 V
VTTR
= 0 或者 v
VTTI
±23 ±40 ±60 毫安
电的 特性 (持续)
(v
在
= +15v, v
DD
= av
DD
= v
SHDNA
= v
SHDNB
= v
BST
= v
ILIM
= 5v, v
输出
= v
REFIN
= v
VTTI
= 2.5v, uvp/ovp = stby = fb =
SKIP
= 地, pgnd1 = pgnd2 = lx = 地, ton = 打开, v
VTTS
= v
VTT
, t
一个
= -40°c 至 +85°c, 除非 否则 指出. 典型 值
是 在 t
一个
= +25°c.) (便条 1)
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