首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1020690
 
资料名称:MBM29F800TA-90PFTN
 
文件大小: 537K
   
说明
 
介绍:
8M (1M X 8/512K X 16) BIT
 
 


: 点此下载
  浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号MBM29F800TA-90PFTN的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
MBM29F800TA
-55/-70/-90
/mbm29f800ba
-55/-70/-90
一般 描述
这 mbm29f800ta/ba 是 一个 8m-位, 5.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 1m 字节 的 8 位 各自 或者 512k
words 的 16 位 各自. 这 mbm29f800ta/ba 是 offered 在 一个 48-管脚 tsop(i) 和 44-pin sop packages. 这个
设备 是 设计 至 是 编写程序 在-系统 和 这 标准 系统 5.0 v v
CC
供应. 12.0 v v
PP
必需的 为 写 或者 擦掉 行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在 标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mbm29lv800ta/ba 提供 进入 时间 55 ns 和 90 ns, 准许 运作 的 高-速
微处理器 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
), 写
使能 (我们
), 和 输出 使能 (oe) 控制.
这 mbm29f800ta/ba 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
2
proms. commands 是
写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入
至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部
获得 地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备
是 类似的 至 读 from12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
这 mbm29f800ta/ba 是 编写程序 用 executing 这 程序 command sequence. 这个 将 invoke 这
embedded 程序 algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths
和 核实 恰当的 cell 余裕. 典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 较少 比 0.5 秒.
擦掉 是 accomplished 用 executing 这 擦掉 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded 擦掉
algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically preprograms 这 排列 如果 它 是 不 already 编写程序
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell 余裕.
任何 单独的 sector 是 典型地 erased 和 核实 在 1.0 第二 (如果 already 完全地 preprogrammed.).
这 设备 也 特性 一个 sector 擦掉 architecture. 这 sector 模式 准许 各自 sector 至 是 erased 和
reprogrammed 没有 影响 其它 sectors. 这 mbm29f800ta/ba 是 erased 当 运输 从 这 工厂.
这 设备 特性 单独的 5.0 v 电源 供应 运作 为 两个都 读 和 写 功能. 内部 发生
和 管制 电压 是 提供 为 这 程序 和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器 automatically
inhibits 写 行动 在 这 丧失 的 电源. 这 终止 的 程序 或者 擦掉 是 发现 用 数据
polling 的 dq
7
,
用 这 toggle 位 特性 在 dq
6
, 或者 这 ry/用输出 管脚. once 这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被
完成, 这 设备 内部 resets 至 这 读 模式.
fujitsu’s flash 技术 结合 年 的 非易失存储器 和 e
2
prom experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这 mbm29f800ta/ba 记忆 用电气 擦掉 这 全部 碎片 或者
所有 位 在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordhiem tunneling. 这 字节/words 是 编写程序 一个
字节/文字 在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com