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资料编号:1021504
 
资料名称:MC34151DR2
 
文件大小: 284K
   
说明
 
介绍:
High Speed Dual MOSFET Drivers
 
 


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mc34151, mc33151
http://onsemi.com
3
图示 1. 切换 特性 测试 电路 图示 2. 切换 波形 定义
图示 3. 逻辑 输入 电流 相比
输入 电压
图示 4. 逻辑 输入 门槛 电压
相比 温度
图示 5. 驱动 输出 low–to–high 传播
延迟 相比 逻辑 overdrive 电压
图示 6. 驱动 输出 high–to–low 传播
延迟 相比 逻辑 输入 overdrive 电压
V
, 输入 电压 (v)
, 输入 电流 (毫安)
I
V
CC
= 12 v
T
一个
= 25
°
C
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
V
th
, 输入 门槛 电压 (v)
V
CC
= 12 v
upper 门槛
低 状态 输出
更小的 门槛
高 状态 输出
V
, 输入 overdrive 电压 在下 更小的 门槛 (v)
t
plh(在/输出)
, 驱动 输出 传播 延迟 (ns)
overdrive 电压 是 和 遵守
至 这 逻辑 输入 更小的 门槛
V
th(更小的)
V
CC
= 12 v
C
L
= 1.0 nf
T
一个
= 25
°
C
V
, 输入 overdrive 电压 在之上 upper 门槛 (v)
t
phl(在/输出)
, 驱动 输出 传播 延迟 (ns)
V
CC
= 12 v
C
L
= 1.0 nf
T
一个
= 25
°
C
V
th(upper)
overdrive 电压 是 和 遵守
至 这 逻辑 输入 更小的 门槛
+
+
+
6
5.7v
逻辑 输入
2
4
3
100k
驱动 输出
7
5
+
+
+
+
100k
12
V
4.7 0.1
50 C
L
+
5.0 v
0 v
10%
90%
t
PHL
t
PLH
90%
10%
t
f
t
r
逻辑 输入
t
r
, t
f
10 ns
驱动 输出
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
200
160
120
80
40
0
200
160
120
80
40
0
0 2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 –55 –25 0 25 50 75 100 125
–1.6 –1.2 –0.8 –0.4 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0
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