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资料编号:1021921
 
资料名称:MC74HC03ADR2
 
文件大小: 151K
   
说明
 
介绍:
Quad 2-Input NAND Gate with Open-Drain Outputs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MC74HC03A
http://onsemi.com
3
交流 特性
(c
L
= 50pf, 输入 t
r
= t
f
= 6ns)
V
CC
有保证的 限制
标识 参数
V
CC
V
–55 至 25
°
C
85
°
C
125
°
C 单位
t
PLZ
,
t
PZL
最大 传播 延迟, 输入 一个 或者 b 至 输出 y
(计算数量 1 和 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
120
45
24
20
150
60
30
26
180
75
36
31
ns
t
TLH
,
t
THL
最大 输出 转变 时间, 任何 输出
(计算数量 1 和 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
75
27
15
13
95
32
19
16
110
36
22
19
ns
C
最大 输入 电容 10 10 10 pF
C
输出
最大 three–state 输出 电容
(输出 在 high–impedance 状态)
10 10 10 pF
便条: 为 传播 延迟 和 负载 其它 比 50 pf, 和 信息 在 典型 参数 值, 看 chapter 2 的 这 在
半导体 high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
典型 @ 25
°
c, v
CC
= 5.0 v, v
EE
= 0 v
C
PD
电源 消耗 电容 (每 缓存区)*
8.0
pF
* 使用 至 决定 这 no–load 动态 电源 消耗量: p
D
= c
PD
V
CC
2
f + i
CC
V
CC
. 为 加载 仔细考虑, 看 chapter 2 的 这
在 半导体 high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
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