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资料编号:1022847
 
资料名称:MIC5014BM
 
文件大小: 76K
   
说明
 
介绍:
Low-Cost High- or Low-Side MOSFET Driver Final Information
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mic5014/5015 Micrel
mic5014/5015 6 1997
这 短的 是 移除, 反馈 至 这 输入 管脚 insures 那 这
mic5014 将 转变 后面的 在. 这个 输出 能 也 是 水平的
shifted 和 sent 至 一个 i/o 端口 的 一个 微控制器 为 intelli-
gent 控制.
电流 shunts
(r
S
). 低 valued 电阻器 是 需要 为
使用 在 r
S
. 电阻器 是 有 和 值 ranging 从 1
至 50m
, 在 2 至 10w. 如果 一个 准确的 overcurrent trip 要点 是
不 需要, 然后 一个 nonprecision 电阻 或者 甚至 一个 mea-
sured pcb 查出 能 提供 作 r
S
. 这 主要的 导致 的 逐渐变化 在
电阻 值 和 此类 电阻器 是 温度 系数;
这 设计者 应当 是 知道 那 一个 直线的, 500 ppm/
°
C
改变 将 contribute 作 更 作 10% 变换 在 这 overcurrent
trip 要点. 如果 这个 是 不 可接受的, 一个 电源 电阻 设计
为 电流 调往 维护 (drifts 较少 比 100 ppm/
°
c), 或者 一个
kelvin-sensed 电阻 将 是 使用.
供应者 的 精确 电源 电阻器:
dale electronics, inc., 2064 12th ave., columbus, ne 68601. (402) 565-
3131
国际的 resistive co., p.o. 盒 1860, boone,nc 28607-1860.
(704) 264-8861
isotek corp., 566 wilbur ave. swansea, 毫安 02777. (508) 673-2900
kelvin, 14724 ventura blvd., ste. 1003, sherman oaks, ca 91403-3501.
(818) 990-1192
rcd 组件, inc., 520 e. 工业的 pk. dr., manchester, nh 03103.
(603) 669-0054
ultronix, inc., p.o. 盒 1090, grand junction, co 81502 (303) 242-0810
高 一侧 驱动器 和 delayed 电流 sense
(图示 5)
延迟 的 这 overcurrent 发现 至 accomodate 高 inrush
负载 此类 作 incandescent 或者 halogen lamps 能 是 accom-
plished 用 adding 一个 lm3905 计时器 作 一个 一个 shot 至 提供
一个 打开 集电级 pulldown 为 这 比较器 输出 此类
那 这 控制 输入 的 这 mic5015 stays 低 为 一个 preset
数量 的 时间 没有 干扰 从 这 电流 sense
电路系统. 便条 那 一个 mic5015 必须 是 使用 在 这个 applica-
tion (图示 5), 作 一个 反相的 控制 输入 是 需要. 这
延迟 时间 是 设置 用 这 rc 时间 常量 的 这 外部
组件 在 管脚 3 和 4 的 这 计时器; 在 这个 情况, 6ms 是
选择.
一个 lm3905 计时器 是 使用 instead 的 一个 555 作 它 提供 一个
clean 转变, 和 是 almost impossible 至 制造 oscillate.
好的 bypassing 和 噪音 免除 是 essential 在 这个 电路
至 阻止 spurious 运算 放大 振动.
低 一侧 驱动器
(图示 2) 一个 关键 有利因素 的 这个 topology,
作 先前 提到, 是 速. 这 场效应晶体管 门 是
驱动 至 near 供应 立即 当 这 mic5014/15 是
转变 在. 典型 电路 reach 全部 增强 在 50
µ
s 或者
较少 和 一个 15v 供应.
bootstrapped 高 一侧 驱动器 (图示 3) 这 转变-在 时间 的
一个 高 一侧 驱动器 能 是 改进 至 faster 比 40
µ
s 用
bootstrapping 这 供应 和 这 场效应晶体管 源. 这
肖特基 屏障 二极管 阻止 这 供应 管脚 从 dropping
更多 比 200mv 在下 这 流 供应 和 改进 转变-
在 时间. 自从 这 供应 电流 在 这
状态 是 仅有的 一个
小 泄漏, 这 100nf 绕过 电容 tends 至 仍然是
charged 为 一些 秒 之后 这 mic5014/15 是 转变
止. faster speeds 能 是 得到 在 这 费用 的 供应
电压 (这 超(电)压 关闭 将 转变 这 部分 止 当
这 bootstrapping action pulls 这 供应 管脚 在之上 35v) 用
使用 一个 大 电容 在 这 接合面 的 这 二 1n4001
二极管. 在 一个 pwm 应用 (这个 电路 能 是 使用 为 也
PWM
ed 或者 continuously energized 负载), 这 碎片 供应 是
sustained 在 一个 高等级的 潜在的 比 这 系统 供应, 这个
改进 切换 时间.
图示 3. bootstrapped hgh-一侧 驱动器
高 一侧 驱动器 和 电流 sense (图示 4) 虽然 非
电流 sense 函数 是 包含 在 这 mic5014/15 设备,
一个 简单的 电流 sense 函数 能 是 认识到 通过 这 增加
的 一个 更多 起作用的 组件; 一个 lm301a 运算 放大 使用 作
一个 比较器. 这 积极的 栏杆 的 这 运算 放大 是 系 至 v
+
, 和
这 负的 栏杆 是 系 至 地面. 这个 运算 放大 是 选择 作
它 能 承受 having 输入 过往旅客 那 摆动 在下 这
负的 栏杆, 和 有 一般 模式 范围 almost 至 这
积极的 栏杆.
这 反相的 一侧 的 这个 比较器 是 系 至 一个 电压 分隔物
这个 sets 这 电压 至 v
+
V
TRIP
. 这 非 反相的 一侧
是 系 至 这 node 在 这 流 的 这 场效应晶体管 和 这 sense
电阻. 如果 这 overcurrent trip 要点 是 不 超过 , 这个 node
将 总是 是 牵引的 在之上 v
+
V
TRIP
, 和
这 输出 的 这
比较器 将 是 高 这个 feeds 这 控制 输入 的 这
mic5014 (polarities 应当 是 使反转 如果 这 mic5015 是
使用). 一个 这 overcurrent trip 要点 有 被 reached, 这
比较器 将 go 低, 这个 shuts 止 这 mic5014. 当 这
加载
MIC5014
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
输入
V+
NC
NC
10µF
R4
1k
R
S
0.06
12V
R1
1k
R2
120k
LM301A
2.2k
I
TRIP
= v
TRIP
/r
S
= 1.7a
V
TRIP
= r1/(r1+r2)
加载
MIC5015
控制 输入
1
2
3
4
8
7
6
5
+2.75v 至 +30v
NC
GateGnd
输入
V+
NC
NC
1µF
100nF
1n4001 (2)
1N5817
1RF540
图示 4. 高 一侧 驱动器 和 overcurrent 关闭
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