MRF148
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motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压 (v
GS
= 0, i
D
= 10 毫安) V
(br)dss
125 — — Vdc
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= 50 v, v
GS
= 0) I
DSS
— — 1.0 mAdc
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
= 20 v, v
DS
= 0) I
GSS
— — 100 nAdc
在 特性
门 门槛 电压 (v
DS
= 10 v, i
D
= 10 毫安) V
gs(th)
1.0 3.0 5.0 Vdc
drain–source on–voltage (v
GS
= 10 v, i
D
= 2.5 一个) V
ds(在)
1.0 3.0 5.0 Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 10 v, i
D
= 2.5 一个) g
fs
0.8 1.2 — mhos
动态 特性
输入 电容 (v
DS
= 50 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
iss
— 50 — pF
输出 电容 (v
DS
= 50 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
oss
— 35 — pF
反转 转移 电容 (v
DS
= 50 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
rss
— 8.0 — pF
函数的 tests (ssb)
一般 源 放大器 电源 增益 (30 mhz)
(v
DD
= 50 v, p
输出
= 30 w (pep), i
DQ
= 100 毫安) (175 mhz)
G
ps
—
—
18
15
—
—
dB
流 效率 (30 w pep)
(v
DD
= 50 v, f = 30 mhz, i
DQ
= 100 毫安) (30 w cw)
η
—
—
40
50
—
—
%
交调 扭曲量
(v
DD
= 50 v, p
输出
= 30 w (pep),
f = 30; 30.001 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
IMD
(d3)
IMD
(d11)
—
—
– 35
– 60
—
—
dB
加载 mismatch
(v
DD
= 50 v, p
输出
= 30 w (pep), f = 30; 30.001 mhz,
I
DQ
= 100 毫安, vswr 30:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
类 一个 效能
交调 扭曲量 (1) 和 电源 增益
(v
DD
= 50 v, p
输出
= 10 w (pep), f1 = 30 mhz,
f2 = 30.001 mhz, i
DQ
= 1.0 一个)
G
PS
IMD
(d3)
IMD
(d9 – 13)
—
—
—
20
– 50
– 70
—
—
—
dB
便条:
1. 至 mil–std–1311 版本 一个, 测试 方法 2204b, 二 声调, 涉及 各自 声调.
图示 1. 2.0 至 50 mhz broadband 测试 电路
c1, c2, c3, c4, c5, c6 — 0.1
µ
f 陶瓷的 碎片 或者 相等的
c7 — 10
µ
f, 100 v electrolytic
c8 — 100 pf dipped mica
l1 — vk200 20/4b ferrite choke 或者 相等的 (3.0
µ
h)
l2 — ferrite bead(s), 2.0
µ
H
r1, r2 — 200
Ω
, 1/2 w carbon
r3 — 4.7
Ω
, 1/2 w carbon
r4 — 470
Ω
, 1.0 w carbon
t1 — 4:1 阻抗 变压器
t2 — 1:2 阻抗 变压器
RF
输出
RF
输入
偏差
0 – 10 v
50 v
+
C1
–
+
–
C4 C5 C6 C7
C2
C3
R1
R3
T1
T2
DUT
L1
L2
R4
C8
R2
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