nn
电的 特性
( t
j
=25°c )
Items Symbols 测试 情况 最小值 最大值 单位
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=1200V 3.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
15
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
=20v i
C
=50mA 4.5 7.5
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
V
GE
=15v i
C
=50A 3.3
输入 电容 C
ies
f=1mhz, v
GE
=0v, v
CE
=10V 8000 (典型值.) pF
t
在
V
CC
=600V 1.2
I
C
= 50A
t
止
V
GE
=
±
15V
1.5
t
f
R
G
= 24
Ω
0.5
二极管 向前 在-电压 V
F
I
F
=50a v
GE
=0V 3.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=50a;
V
GE
=-10v;
-di
/
dt
=150
一个
/
µs
350 ns
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=1200V 1.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
100 nA
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
V
GE
=15v i
C
=25A 3.3 V
t
在
V
CC
=600V 1.2
I
C
= 25A
t
止
V
GE
=
±
15V
1.5
t
f
R
G
= 51
Ω
0.5
反转 电流 I
RRM
V
R
=1200V 1.0 毫安
反转 恢复 时间 t
rr
600 ns
nn
热的 特性
Items Symbols 测试 情况 最小值 最大值 单位
反相器 igbt 0.31
热的 阻抗 (1 设备) R
th(j-c)
反相器 frd 0.85
brake igbt 0.63
联系 热的 阻抗 R
th(c-f)
With 热的 复合 0.05 (典型值.)
转变-在 时间
转变-在 时间
转变-止 时间
转变-止 时间
V
µ
s
µ
s
°c/W
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