igbt modules
7MBR50SB120
特性 (代表)
012345
0
20
40
60
80
100
120
8V
10V
12V
15V
vge= 20v
[ 反相器 ]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
tj= 25
o
c (典型值.)
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
012345
0
20
40
60
80
100
120
8V
10V
12V15V
vge= 20v
[ 反相器 ]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
tj= 125
o
c (典型值.)
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
012345
0
20
40
60
80
100
120
tj= 25
o
C
tj= 125
o
C
[ 反相器 ]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
vge=15v (典型值.)
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
5 10152025
0
2
4
6
8
10
ic= 25a
ic= 50a
ic= 100a
[ 反相器 ]
集电级-发射级 电压 vs. 门-发射级 电压
tj= 25
o
c (典型值.)
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
门 - 发射级 电压 : vge [ v ]
0 5 10 15 20 25 30 35
100
1000
10000
20000
[ 反相器 ]
电容 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=0v, f= 1mhz, tj= 25
o
C
电容 : cies, coes, cres [ pf ]
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
Coes
Cres
Cies
0 100 200 300 400 500
0
200
400
600
800
1000
[ 反相器 ]
动态 门 承担 (典型值.)
vcc=600v, ic=50a, tj= 25
o
C
门 承担 : qg [ nc ]
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射级 电压 : vge [ v ]