MMSZ4688
5% 容忍
电的 特性
ta = 25
O
c 除非 否则 指出
SYM 特性 最小值 最大值 单位 测试 情况
V
Z
齐纳 电压 4.47 4.94 V I
ZT
= 50.0 ua
d.c
I
R
反转 泄漏 10 uA V
R
= 3.0 v
V
F
向前 电压 900 mV I
F
= 10 毫安
V
Z
delta 齐纳 电压 990 mV I
F
= 100 ua 至 10 ua
绝对 最大 比率
(便条 1)
ta = 25
O
c 除非 否则 指出
参数 值 单位
T
STG
- 存储 温度 -55 至 +150
O
C
T
J
- 最大 接合面 温度 -55 至 +150
O
C
P
D
- 总的 电源 消耗 在 25
O
C 500 mW
减额 在之上 25
O
C 6.7 mw/
O
C
R
ØJA
- 热的 阻抗 接合面 至 包围的 340
O
c/w
R
ØJL
- 热的 阻抗 接合面 至 含铅的 150
O
c/w
V
Z
- 最大 电压 改变 (便条 2) 990 mV
含铅的 焊盘 温度 (最大值 10 第二 持续时间) 260
O
C
名义上的 齐纳 电压 (v
Z
) 在 50 ua 4.7 V
便条 1: 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired
便条 2: 电压 改变 是 equal 至 这 区别 在 v
Z
在 100 ua 和 v
Z
在 10 ua.
顶 mark:
CT
1: cathode
2: anode
2
1
特性:
•
紧凑的 表面 挂载 和 一样 footprint 作 迷你-melf
•
500 mw 比率 在 fr-4 或者 fr-5 板.
•
类 3 静电释放 比率 (>16 kv) 每 人 身体 模型
订货:
•
7 inch 卷轴 (178 mm); 8 mm 录音带; 3,000 单位 每 reel.
一般 描述:
half watt, 一般 目的, 中等 电流 表面 挂载
齐纳 在 这 sod-123 包装. 这 sod-123 包装 有
这 一样 footprint 作 这 glass 迷你-melf(ll-34) 包装 &放大;
提供 一个 便利的 alternative 至 这 无铅 包装.
© 1997 仙童 半导体 公司
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