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mrf136 mrf136y
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
RF 电源
地方-效应 晶体管
n-频道 增强-模式 MOSFETs
. . . 设计 为 wideband large–signal 放大器 和 振荡器 产品 向上
至400 mhz 范围, 在 也 单独的 结束 或者 push–pull 配置.
•
有保证的 28 volt, 150 mhz 效能
MRF136 MRF136Y
输出 电源 = 15 watts 输出 电源 = 30 watts
narrowband 增益 = 16 db (典型值) broadband 增益 = 14 db (典型值)
效率 = 60% (典型) 效率 = 54% (典型)
•
small–signal 和 large–signal
描绘
•
100% 测试 为 加载
mismatch 在 所有 阶段
angles 和 30:1 vswr
•
空间 节省 包装 为
push–pull 电路
产品 — mrf136y
•
极好的 热的 稳固,
ideally suited 为 类 一个
运作
•
facilitates 手工的 增益
控制, alc 和
调制 技巧
最大 比率
比率 标识
值
UnitRating 标识
MRF136 MRF136Y
单位
drain–source 电压 V
DSS
65 65 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
65 65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
2.5 5.0 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
55
0.314
100
0.571
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识
最大值
UnitCharacteristic 标识
MRF136 MRF136Y
单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
3.2 1.75
°
c/w
处理和 包装
— mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf136/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF136
MRF136Y
15 w, 30 w, 至 400 mhz
N–CHANNEL
mos broadband
rf 电源 fets
情况 211–07, 样式 2
MRF136
情况 319b–02, 样式 1
MRF136Y
motorola, 公司 1994
D
G
S
D
G
S
(flange)
MRF136
MRF136Y
D
G
rev 6
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