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资料编号:1032653
 
资料名称:MRF136Y
 
文件大小: 221K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
设计 仔细考虑
这 mrf136y 是 一个 rf 电源 n–channel 增强
模式 field–effect 晶体管 (场效应晶体管) 设计 特别 为 hf
和 vhf 电源 放大器 产品.
m/一个-com
rf mos
fets 特性 planar 设计 为 最佳的 manufacturability.
m/一个-com
应用 便条 an211a, feTs 在 theory 和
实践, 是 建议的 读 为 那些 不 familiar 和 这
构建 和 特性 的 fets.
这 主要的 有利因素 的 rf 电源 fets 包含 高 增益,
低 噪音, 简单的 偏差 系统, 相关的 免除 从 ther-
mal runaway, 和 这 能力 至 承受 severely mis-
matched 负载 没有 suffering 损坏. 电源 输出 能
是 varied 在 一个 宽 范围 和 一个 低 电源 直流 控制 信号,
因此 facilitating 手工的 增益 控制, alc 和 调制.
直流 偏差
这 mrf136y 是 一个 增强 模式 场效应晶体管 和, 那里-
fore, 做 不 conduct 当 流 电压 是 应用 没有
门 偏差. 一个 积极的 门 电压 导致 流 电流 至 流动
(看 图示 8). rf 电源 fets 需要 向前 偏差 为
最佳的 增益 和 电源 输出. 一个 类 ab 情况 和
安静的 流 电流 (i
DQ
) 在 这 25–100 毫安 范围 是
sufficient 为 许多 产品. 为 特定的 (所需的)东西
此类 作 直线的 放大器, i
DQ
将 有 至 是 调整 至
优化 这 核心的 参数.
这 mos 门 是 一个 直流 打开 电路. 自从 这 门 偏差 电路
做 不 有 至 deliver 任何 电流 至 这 场效应晶体管, 一个 简单的
resistive 分隔物 arrangement 将 sometimes suffice 为 这个
函数. 特定的 产品 将 需要 更多 elaborate
门 偏差 系统.
增益 控制
电源输出 的 这 mrf136y 将 是 控制 从 评估
值 向下 至 这 milliwatt 区域 (>20 db 减少 在 电源
输出 和 常量 输入 电源) 用 varying 这 直流 门
电压. 这个 特性, 不 有 在 双极 rf 电源
设备, facilitates 这 incorporation 的 手工的 增益 控制,
agc/alc 和 调制 schemes 在 系统 设计. 一个
全部 范围 的 电源 输出 控制 将 需要 直流 门 电压
excursions 在 这 负的 区域.
放大器 设计
阻抗 相一致 网络 类似的 至 那些 使用 和
双极 晶体管 是 合适的 为 这 mrf136y. 看
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应用 便条 an721, 阻抗 相一致
网络 应用 至 rf 电源 晶体管. 大 信号
阻抗 参数 是 提供. 大 信号 imped-
ances应当 是 使用 为 网络 设计 wherever 可能.
当 这 s 参数 将 不 生产 一个 精确的 设计
解决方案 为 高 电源 运作, 它们 做 yield 一个 好的 第一
approximation. 这个 是 特别 有用的 在 发生率
外部 那些 提交 在 这 大 信号 阻抗 plots.
rf 电源 fets 是 triode 设备 和 是 因此 不
unilateral. 这个, 结合 和 这 非常 高 增益, 产量 一个
设备 有能力 的 自 振动. 稳固 将 是 达到
使用 技巧 此类 作 流 加载, 输入 调往 resistive
加载, 或者 反馈. s 参数 稳固 分析 能
提供 有用的 信息 在 这 选择 的 加载 和/或者
反馈 至 insure 稳固的 运作. 这 mrf136y 是
典型和 一个 resistive 反馈 循环 周围 各自 的 它的
二 起作用的 设备.
为 更远 discussion 的 rf 放大器 稳固 和 这 使用
的 二 端口 参数 在 rf 放大器 设计, 看
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应用 便条 an215a.
低 噪音 运作
输入 resistive 加载 将 降级 噪音 效能, 和
噪音 图示 将 相异 significantly 和 门 驱动 imped-
ance. 一个 低 丧失 输入 相一致 网络 和 它的 门
阻抗 优化 为 最低 噪音 是 推荐.
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