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MRF151G
motorola rf 设备 数据
图示 2. 电容 相比
drain–source voltage*
图示 3. 一般 源 统一体 增益 频率
相比 流 current*
图示 4. gate–source 电压 相比
情况 temperature*
图示 5. 直流 safe 运行 范围
典型 特性
图示 6. rf 变压器
*data 显示 应用 至 各自 half 的 mrf151g.
V
GS
, 流-源 电压 (normalized)
1000
500
200
100
50
0
20
0 1020304050
c, 电容 (pf)
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
1.04
0.9
– 25 0 25 50 75 100
T
C
, 情况 温度 (
°
c)
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
C
iss
C
oss
C
rss
I
D
= 5 一个
4 一个
2 一个
1 一个
250 毫安
100 毫安
100
10
1
2 20 200
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
2000
0
048121620
I
D
, 流 电流 (放大器)
1000
V
DS
= 30 v
I
D
, 流 电流 (放大器)
2 6 10 14 18
15 v
T
C
= 25
°
C
f
T
, 统一体 增益 频率 (mhz)
高 阻抗
WINDINGS
中心
TAP
中心
TAP
4:1
阻抗
比率
9:1
阻抗
比率
连接
至 低 阻抗
WINDINGS

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3 MRF151G motorola rf 设备数据图示 2. 电容相比 drain–source voltage* 图示 3. 一般源统一体增益频率相比流 current* 图示 4. gate–source 电压相比情况 temperature* 图示 5. 直流 safe 运行范围典型特性图示 6. rf 变压器 *data 显示应用至各自 half 的 mrf151g. V GS , 流-源电压 (normalized) 1000 500 200 100 50 0 20 0 1020304050 c, 电容 (pf) V DS , drain–source 电压 (伏特) 1.04 0.9 – 25 0 25 50 75 100 T C , 情况温度 ( ° c) 1.03 1.02 1.01 1 0.99 0.98 0.97 0.96 0.95 0.94 0.93 0.92 0.91 C iss C oss C rss I D = 5 一个 4 一个 2 一个 1 一个 250 毫安 100 毫安 100 10 1 2 20 200 V DS , drain–to–source 电压 (伏特) 2000 0 048121620 I D , 流电流 (放大器) 1000 V DS = 30 v I D , 流电流 (放大器) 2 6 10 14 18 15 v T C = 25 ° C f T , 统一体增益频率 (mhz) 高阻抗 WINDINGS 中心 TAP 中心 TAP 4:1 阻抗比率 9:1 阻抗比率连接至低阻抗 WINDINGS

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