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MRF160
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
电源 地方 效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 场效应晶体管
设计primarily for wideband large–signal output一个nd driver f只读存储器
30–500 mhz.
•
典型 效能 在 400 mhz, 28 vdc
输出 电源 = 4.0 watts
增益 = 17 db
效率 = 50%
•
极好的 热的 稳固, ideally suited 为 类 一个 运作
•
facilitates 手工的 增益 控制, alc 和 调制 技巧
•
100% 测试 为 加载 mismatch 在 所有 阶段 angles 和
30:1 vswr
•
低 c
rss
– 0.8 pf 典型 在 v
DS
= 28 伏特
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–gate 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 current–continuous I
D
1.0 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
24
0.14
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面 至 情况 R
θ
JC
7.2
°
c/w
便条: 处理和 包装 — mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf160/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF160
4.0 w, 至 400 mhz
场效应晶体管 broadband
rf 电源 场效应晶体管
情况 249–06, 样式 3
D
S
G
motorola, 公司 1995
rev 2
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