sbas203f − march 2002 − 修订 十一月 2004
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数字的 特性: dv
DD
= 2.7v 至 5.25v
所有 规格 从 t
最小值
至 t
最大值
, f
OSC
= 1mhz, 除非 否则 指定.
MSC1210Yx
参数 情况
最小值 典型值 最大值
单位
数字的 电源-supply (所需的)东西
数字的 电源-供应电压 DV
DD
2.7 3.0 3.6 V
正常的 模式, f
OSC
= 1mhz 1.4 1.6 毫安
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz 8 9 毫安
结晶 运作 停止 模式
(1)
1
µ
一个
数字的 电源-供应 电流
DV
DD
4.75 5.0 5.25 V
数字的 电源-供应 电流
正常的 模式, f
OSC
= 1mhz 2 2.2 毫安
正常的 模式, f
OSC
= 8mhz 17 18 毫安
结晶 运作 停止 模式
(1)
1
µ
一个
数字的 输入/输出 (cmos)
逻辑 水平的
V
IH
(除了 xin 管脚) 0.6
•
DV
DD
DV
DD
V
逻辑 水平的
V
IL
(除了 xin 管脚) DGND 0.2
•
DV
DD
V
i/o 管脚 hysteresis 700 mV
端口 0−3, 输入 泄漏 电流, 输入 模式 V
IH
= dv
DD
或者 v
IH
= 0v < 1 pA
管脚 ea, xin 输入 泄漏 电流 < 1 pA
V
OL
, ale, psen, 端口 0−3, 所有 输出 模式
I
OL
= 1ma DGND 0.4 V
V
OL
, ale, psen, 端口 0−3, 所有 输出 模式
I
OL
= 30ma 1.5 V
V
OH
, ale, psen, 端口 0−3, 强 驱动 输出
I
OH
= 1ma DV
DD
− 0.4 DV
DD
− 0.1 DV
DD
V
V
OH
, ale, psen, 端口 0−3, 强 驱动 输出
I
OH
= 30ma DV
DD
− 1.5 V
端口 0−3, 拉-向上 电阻器 9 k
Ω
管脚 ale, psen, 拉-向上 电阻器 flash 程序编制 模式 仅有的 9 k
Ω
管脚 rst, 拉-向下 电阻 500 k
Ω
(1)
数字的 brownout 发现 无能 (hcr1.2 = 1), 低 电压 发现 无能 (lvdcon.3 =1). 端口 配置 为 输入 或者 cmos output.
flash 记忆 特性: dv
DD
= 2.7v 至 5.25v
MSC1210Yx
参数 情况
最小值 典型值 最大值
单位
flash 记忆 忍耐力 100,000 1,000,000 循环
flash 记忆 数据 保持 100 年
mass 和 页 擦掉 时间 设置 和 fer 在 ftcon 10 ms
flash 记忆 写 时间 设置 和 fwr 在 ftcon 30 40
µ
s
flash 程序编制 电流
DV
DD
= 3.0v 10 毫安
flash 程序编制 电流
DV
DD
= 5.0v 25 毫安
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