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资料编号:1034200
 
资料名称:NTD15N06
 
文件大小: 93K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2003
九月, 2003 − rev. 1
1
发行 顺序 号码:
ntd15n06/d
NTD15N06
电源 场效应晶体管
15 放大器, 60 伏特
n−channel dpak
设计 为 低 电压, 高 速 切换 产品 在
电源 供应, 转换器 和 电源 发动机 控制 和 桥
电路.
典型 产品
电源 供应
转换器
电源 发动机 控制
桥 电路
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GS
20
30
Vdc
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 持续的 @ t
一个
= 100
°
C
− 单独的 脉冲波 (t
p
10
s)
I
D
I
D
I
DM
15
10
45
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ t
J
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 2)
P
D
48
0.32
2.1
1.5
W
w/
°
C
W
W
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至
+175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc, l = 1.0 mh,
I
l(pk)
= 11 一个, v
DS
= 60 vdc)
E
61
mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient (便条 1)
− junction−to−ambient (便条 2)
R
JC
R
JA
R
JA
3.13
71.4
100
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq. 在. 垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小.
15 amperes
R
ds(在)
= 76 m
典型值)
设备 包装 Shipping
订货 信息
NTD15N06 DPAK 75 单位/栏杆
http://onsemi.com
N−Channel
D
S
G
NTD15N06−1 DPAK
笔直地 含铅的
75 单位/栏杆
NTD15N06T4 DPAK 2500/录音带 &放大; 卷轴
1
3
2
4
DPAK
情况 369c
(表面 挂载)
样式 2
标记 图解
15N06 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
YWW
15N06
1
2
3
4
YWW
15N06
1
3
2
4
DPAK
情况 369d
(笔直地 含铅的)
样式 2
1
2
3
4
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