飞利浦 半导体 产品 规格
80c851/83c851
cmos 单独的-碎片 8-位 微控制器
和 在-碎片 可擦可编程只读存储器
1998 jul 03
11
直流 电的 特性
T
amb
= 0
°
c 至 +70
°
c (v
DD
= 5v
±
10%), –40
°
c 至 +85
°
c (v
DD
= 5v
±
10%), 或者 –40
°
c 至 +125
°
c (v
DD
= 5v
±
10%), v
SS
= 0v
部分 测试 限制
标识 参数 类型 情况 最小值 最大值 单位
V
IL
输入 低 电压, 除了 ea 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
–0.5
–0.5
–0.5
0.2v
DD
–0.1
0.2v
DD
–0.15
0.2v
DD
–0.25
V
V
V
V
IL1
输入 低 电压 至 ea 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
–0.5
–0.5
–0.5
0.2v
DD
–0.3
0.2v
DD
–0.35
0.2v
DD
–0.45
V
V
V
V
IH
输入 高 电压, 除了 xtal1, rst 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
0.2v
DD
+0.9
0.2v
DD
+1.0
0.2v
DD
+1.0
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
V
V
V
V
IH1
输入 高 电压, xtal1, rst 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
0.7v
DD
0.7v
DD
+0.1
0.7v
D
+0.1
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
V
OL
输出 低 电压, 端口 1, 2, 3
6
I
OL
= 1.6ma
4
0.45 V
V
OL1
输出 低 电压, 端口 0, ale, psen
6
I
OL
= 3.2ma
4
0.45 V
V
OH
输出 高 电压, 端口 1, 2, 3, ale, psen I
OH
= –60
µ
一个,
I
OH
= –25
µ
一个,
I
OH
= –10
µ
一个
2.4
0.75v
DD
0.9v
DD
V
V
V
V
OH1
输出 高 电压, 端口 0 在 外部 总线
模式
5
I
OH
= –800
µ
一个,
I
OH
= –300
µ
一个,
I
OH
= –80
µ
一个
2.4
0.75v
DD
0.9v
DD
V
V
V
I
IL
logical 0 输入 电流, 端口 1, 2, 3 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
V
在
= 0.45v –50
–75
–75
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
TL
logical 1-至-0 转变 电流, 端口 1, 2, 3 0 至 +70
°
C
–40 至 +85
°
C
–40 至 +125
°
C
V
在
= 2.0v –650
–750
–750
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
L1
输入 泄漏 电流, 端口 0, ea 0.45v<v
i
<v
DD
±
10
µ
一个
I
DD
电源 供应 电流:
起作用的 模式 @ 16mhz
1
起作用的 模式 @ 24mhz
1
空闲 模式 @ 16mhz
2
空闲 模式 @ 24mhz
2
电源 向下 模式
3
看 便条 7
19
29
3.7
5.6
50
毫安
毫安
毫安
毫安
µ
一个
R
RST
内部的 重置 拉-向下 电阻 50 150 k
Ω
C
IO
管脚 电容 f = 1mhz 10 pF
注释:
1. 这 运行 供应 电流 是 量过的 和 所有 输出 管脚 disconnected; xtal1 驱动 和 t
r
= t
f
= 5ns; v
IL
= v
SS
+0.5v;
V
IH
= v
DD
– 0.5v; xtal2 不 连接; ea= rst = 端口 0 = v
DD
.
2. 这 空闲 模式 供应 电流 是 量过的 和 所有 输出 管脚 disconnected; xtal1 驱动 和 t
r
= t
f
= 5ns; v
IL
= v
SS
+0.5v;
V
IH
= v
DD
– 0.5v; xtal2 不 连接; ea= 端口 0 = v
DD
; rst = v
SS
.
3. 这 电源-向下 电流 是 量过的 和 所有 输出 管脚 disconnected; xtal2 不 连接; ea
= 端口 0 = v
DD
; rst = xtal1 = v
SS
.
4. 电容的 加载 在 端口 0 和 端口 2 将 导致 spurious 噪音 脉冲 至 是 superimposed 在 这 低 水平的 输出 电压 的 ale, 端口
1 和 端口 3. 这 噪音 是 预定的 至 外部 总线 电容 discharging 在 这 端口 0 和 端口 2 管脚 当 这些 管脚 制造 一个 1-至-0
转变 在 总线 行动. 在 这 worst 具体情况 (电容的 加载 > 100pf), 这 噪音 脉冲波 在 这 ale 线条 将 超过 0.8v. 在 此类
具体情况 它 将 是 desirable 至 qualify ale 和 一个 施密特 触发, 或者 使用 一个 地址 获得 和 一个 施密特 触发 strobe 输入.
5. 电容的 加载 在 端口 0 和 端口 2 将 导致 这 高 水平的 输出 电压 在 ale 和 psen
至 短促地 下降 在下 这 0.9v
DD
规格 当 这 地址 位 是 stabilizing.
6. 下面 稳步的 状态 (非-瞬时) 情况, i
OL
必须 是 externally 限制 作 跟随:
最大 i
OL
每 端口 管脚: 10mA
最大 i
OL
每 8-位 端口 –
端口 0: 26mA
端口 1, 2, 和 3: 15mA
最大 总的 i
OL
为 所有 输出 管脚: 71ma.
如果 i
OL
超过 这 测试 情况, v
OL
将 超过 这 related 规格. 管脚 是 不 有保证的 至 下沉 电流 更好 比 这 列表
测试 情况.
7. 看 计算数量 11 通过 14 为 i
DD
测试 情况.
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