1998 十一月 26 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 电阻-配备 晶体管 PDTC114EK
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
50 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
10 V
V
I
输入 电压
积极的
−
+40 V
负的
−−
10 V
I
O
输出 电流 (直流)
−
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
c; 便条 1
−
250 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=50V
−−
100 nA
I
CEO
集电级 截-止 电流 I
B
= 0; v
CE
=30V
−−
1
µ
一个
I
B
= 0; v
CE
=30v; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
−−
400
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
=5V 30
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−−
150 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
= 100
µ
一个; v
CE
=5V
−
1.1 0.8 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 0.3 V 2.5 1.8
−
V
R1 输入 电阻 7 10 13 k
Ω
电阻 比率 0.8 1 1.2
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=10v; f=1mhz
−−
2.5 pF
R2
R1
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