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资料编号:103709
 
资料名称:80N055
 
文件大小: 79.49K
   
说明
 
介绍:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
 
 


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数据 薄板 d14097ej3v0ds
4
np80n055cle, np80n055dle, np80n055ele
figure6. 向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
搏动
1234
5
6
1
0.1
0.01
10
100
T
一个
=
50˚C
25˚C
75˚C
150˚C
175˚C
figure7. 流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
4
200
160
120
80
40
0
2
搏动
V
GS
=10 v
0
5
3
1
5 v
4.5 v
figure8. 向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
V
DS
=10V
搏动
0.01 0.1
1
10
100
10 100
0.01
0.1
1
T
一个
= 175
˚
C
75
˚
C
25
˚
C
50
˚
C
figure9. 流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
0
0
624 81012141618
搏动
10
20
30
40
50
I
D
= 40 一个
figure10. 流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
10
101
20
30
100 1000
搏动
0
V
GS
= 4.5 v
5 v
10 v
figure11. 门 至 源 门槛 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
V
gs(th)
- 门 至 源 门槛 电压 - v
0.5
V
DS
= v
GS
I
D
= 250 一个
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
0 50 100 150
0
µ
★★
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