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mos 地方 效应 晶体管
µ
PA2717GR
切换
p-频道 电源 mos 场效应晶体管
数据 薄板
文档 非. g16950ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 july 2004 ns cp(k)
打印 在 日本
2004
描述
这
µ
pa2717gr 是 p-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 电源 管理 产品 的 notebook
计算机 和 li-ion 电池 保护 电路.
特性
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 5.5 m
Ω
最大值 (v
GS
= –10 v, i
D
= –7.5 一个)
R
ds(在)2
= 8.9 m
Ω
最大值 (v
GS
= –4.5 v, i
D
= –7.5 一个)
•
低 c
iss
: c
iss
= 3550 pf 典型值
•
建造-在 门 保护 二极管
•
小 和 表面 挂载 包装 (电源 sop8)
订货 信息
部分 号码 包装
µ
pa2717gr 电源 sop8
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c, 所有 terminals 是 连接.)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
–30 V
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
GSS
m
20 v
流 电流 (直流) I
d(直流)
m
15 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
m
150 一个
总的 电源 消耗
Note2
P
T1
2 W
总的 电源 消耗
Note3
P
T2
2 W
频道 温度 T
ch
150°C
存储 温度 T
stg
–55 至 + 150 °C
单独的 avalanche 电流
Note4
I
作
–15 一个
单独的 avalanche 活力
Note4
E
作
22.5mJ
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2.
挂载 在 陶瓷的 基质 的 1200 mm
2
x 2.2 mm
3.
挂载 在 glass 环氧的 板 的 1 inchx 1 inch x 0.8 mm, pw = 10 秒
4.
开始 t
ch
= 25°c, v
DD
= –15 v, r
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
h, v
GS
= –20
→
0 v
Remark
这 二极管 连接 在这 门 和 源 的 这晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当
这个 设备 的确 使用, 一个 额外的保护 电路 是 externally required 如果 一个 电压exceeding 这 评估
电压 将 是 应用 至 这个 设备.
包装 绘画 (单位: mm)
1.27
0.12 m
6.0 ±0.3
4.4
0.40
+0.10
–0.05
0.78 最大值
0.05 最小值
1.8 最大值
1.44
0.8
0.5 ±0.2
0.15
+0.10
–0.05
5.37 最大值
0.10
14
85
1, 2, 3 : 源
4 : 门
5, 6, 7, 8 : 流
相等的 电路
源
身体
二极管
门
保护
二极管
门
流
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