2002 微芯 技术 公司 ds21392b-页 3
tc1413/tc1413n
1.0 电的
特性
绝对 最大 ratings*
供应 电压..................................................... +20V
输入 电压...................... V
DD
+ 0.3v 至 地
–
5.0v
电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c)
PDIP ........................................................ 730mW
SOIC........................................................ 470mW
包装 热的 阻抗
pdip r
θ
j-一个
..............................................125
°
c/w
pdip r
θ
j-c
............................................... 42
°
c/w
soic r
θ
j-一个
............................................ 155
°
c/w
soic r
θ
j-c
.............................................. 45
°
c/w
运行 温度 范围
c 版本 .........................................0
°
c 至 +70
°
C
e 版本 ..................................... -40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 ............. -65
°
c 至 +150
°
C
*stresses 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大
比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些
是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备
在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
tc1413/tc1413n 电的 规格
电的 特性:
在 运行 温度 范围 和 4.5v
≤
V
DD
≤
16v, 除非 否则 指出. 典型 值 是
量过的 在 t
一个
= +25
°
c, v
DD
= 16v.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
输入
V
IH
逻辑 1, 高 输入 电压 2.0
——
V
V
IL
逻辑 0, 低 输入 电压
——
0.8 V
I
在
输入 电流 -1
-10
—
—
1
10
µ
A0V
≤
V
在
≤
V
dd,
T
一个
= +25
°
C
-40
°
C
≤
T
一个
≤
+85
°
C
输出
V
OH
高 输出 电压 V
DD
–
0.025
——
V 直流 测试
V
OL
低 输出 电压
——
0.025 V 直流 测试
R
O
输出 阻抗
—
2.7
3.3
3.3
4
5
5
Ω
V
DD
= 16v, i
O
= 10ma, t
一个
= +25
°
c,
0
°
C
≤
T
一个
≤
+70
°
C
-40
°
C
≤
T
一个
≤
+85
°
C
I
PK
顶峰 输出 电流
—
2.0
—
AV
DD
= 16v
I
REV
获得-向上 保护
承受 反转 电流
—
0.5
—
一个 职责 循环
≤
2%, t
≤
300
µ
秒,
V
DD
= 16v