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资料编号:1041829
 
资料名称:Q62703-Q1088
 
文件大小: 66K
   
说明
 
介绍:
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sfh 480,
sfh 481, sfh 482
半导体 组 3 1998-04-16
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°
c)
最大 比率
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
SFH 481:
betriebs- und lagertemperatur
运行 和 存储 温度 范围
T
运算
;
T
stg
– 55 ... + 100
°
C
SFH 480, sfh 482:
betriebs- und lagertemperatur
运行 和 存储 温度 范围
T
运算
;
T
stg
– 55 ... + 125
°
C
Sperrschichttemperatur
接合面 温度
T
j
100
°
C
Sperrspannung
反转 电压
V
R
5V
Durchlaßstrom
向前 电流
I
F
200 毫安
stoßstrom,
t
p
= 10
µ
s,
D
= 0
surge 电流
I
FSM
2.5 一个
Verlustleistung
电源 消耗
P
tot
470 mW
Wärmewiderstand
热的 阻抗
R
thJA
R
thJC
450
160
k/w
k/w
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c)
特性
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
wellenlänge der strahlung
wavelength 在 顶峰 emission
I
F
= 100 毫安
λ
顶峰
880 nm
spektrale bandbreite bei 50 % von
I
最大值
谱的 带宽 在 50 % 的
I
最大值
I
F
= 100 毫安
∆λ
80 nm
Abstrahlwinkel
half 角度
sfh 480
sfh 481
sfh 482
ϕ
ϕ
ϕ
±
6
±
15
±
30
Grad
deg.
aktive chipfläche
起作用的 碎片 范围
一个
0.16 mm
2
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