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初步的
rt9262/一个
ds9262/一个-04   8月 2002 www.richtek.com
3
图. 3 应用 电路 和 零-output-电流 关闭 模式 控制
图. 4  0.4a ~ 2a output 电流 应用
图. 5 高 电压 应用 (rm 应当 是 增加 当 il > 100ma)
C1
100
µ
F
VDD
CE
RT9262
EXT
ldoo                   lx
LFB地FB
+
C2
1
µ
F
D1
L1
4.7
µ
H
R1
1.6M
R2
980K
C3
10
µ
F
3.3V
V
OU T
V
在
100pF
碎片 使能 输入
+
100
µ
F
C1
100
µ
F
VDD
CELX
ldoo                       ext
lfb      地FB
+
3.3V
V
OU T1
C2
1
µ
F
D1
L1
4.7
µ
H
R1
1.6M
R2
980K
R4
1.3M
R3
680K
C3
10
µ
F
2.5V
V
OU T2
V
在
100pF
1nF
Q1
NMOS
+
RT9262
100
µ
F
VDD
CE
RT9262
EXT
ldoo                   lx
lfb      地FB
R4
1.3M
R3
680K
C3
10
µ
F
2.5V
V
OU T2
1nF
C1
100
µ
F
+
C2
1
µ
F
D1
R1
2.2M
R2
200K
Q1
NMOS
5V
V
在
15V
V
OU T1
0.1
µ
F
Rm
0.05~0. 1
Ω
L1
10
µ
H
+
100
µ
F

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初步的 rt9262/一个 ds9262/一个-04 8月 2002 www.richtek.com 3 图. 3 应用电路和零-output-电流关闭模式控制图. 4 0.4a ~ 2a output 电流应用图. 5 高电压应用 (rm 应当是增加当 il > 100ma) C1 100 µ F VDD CE RT9262 EXT ldoo lx LFB地FB + C2 1 µ F D1 L1 4.7 µ H R1 1.6M R2 980K C3 10 µ F 3.3V V OU T V 在 100pF 碎片使能输入 + 100 µ F C1 100 µ F VDD CELX ldoo ext lfb 地FB + 3.3V V OU T1 C2 1 µ F D1 L1 4.7 µ H R1 1.6M R2 980K R4 1.3M R3 680K C3 10 µ F 2.5V V OU T2 V 在 100pF 1nF Q1 NMOS + RT9262 100 µ F VDD CE RT9262 EXT ldoo lx lfb 地FB R4 1.3M R3 680K C3 10 µ F 2.5V V OU T2 1nF C1 100 µ F + C2 1 µ F D1 R1 2.2M R2 200K Q1 NMOS 5V V 在 15V V OU T1 0.1 µ F Rm 0.05~0. 1 Ω L1 10 µ H + 100 µ F

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