3
函数的 块 图解
电容
(1,2)
便条:
1.电容 是 抽样 和 不 100% 测试.
2.T
一个
= 25
°
c, v
CC
= 5v
±
10%, f = 1 mhz.
获得 向上 特性
(1)
便条:
1.包含 所有 管脚 除了 v
CC
. 测试 情况: v
CC
= 5v, 一个 管脚 在 一个 时间.
交流 测试 加载
标识参数测试 msetup典型值最大值单位
C
在
输入 电容V
在
= 068pF
C
输出
输出 电容V
输出
= 0812pF
C
IN2
控制 管脚 电容V
在
= 0810pF
Parameter 最小值最大值单位
输入 电压 和 遵守 至 地 在 一个
9
, oe
-1+13V
输入 电压 和 遵守 至 地 在 i/o, 地址 或者 控制 管脚-1V
CC
+ 1V
V
CC
电流-100+100毫安
地址 缓存区 &放大; latches一个
0
–A
16
51001-05
i/o 缓存区 &放大; 数据 latches
i/o
0
–i/o
7
y-解码器
1,048,576 位
记忆 cell 排列
x-解码器
控制 逻辑
CE
OE
我们
51001-06
in3064 或者 相等的
IN3064
或者 相等的
2.7 k
Ω
6.2 k
Ω
+5.0 v
in3064 或者 相等的
in3064 或者 相等的
C
L
= 100 pf
设备 下面
测试
SyncMOSTechnologies公司
S
29C5100
1
t/
S
29C5100
1
B
1
megabit (
131,072
x 8
位)
5VOLTcmos flash memoRY
S
29c51001t/
S
29C51001B
v1.0
二月
2003
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