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文档 号码 83816
rev. 1.3, 26-oct-04
lh1518aab/ aabtr/ 在
vishay 半导体
图示 5. 转变 损坏 电压 vs. 温度
图示 6. 转变 损坏 电压 vs. 加载 电流
图示 7. 加载 电流 vs. 加载 电压
–12
–10
–8
–6
–4
–2
0
2
4
6
8
–40 –20 0 20 40 60 80
包围的 温度 (

c )
17304
I
F
= 0
I
L

50

一个
normalized 至 25  c

改变 在 损坏 电压 ( % )
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500
加载 电压 ( v )
17305
t = 85

C
加载 电流  (   一个 )
t = 25

C
t = –40

C

I
F
= 0
I
L

50

一个
0
100
200
300
012345
加载 电压 ( v )
17306
t = 85

C
加载 电流  ( 毫安 )
t = 25

C
t = –40

C
I
F
= 5 毫安
图示 8. 电流 限制 vs. 温度
图示 9. 变化 在 在-resistance vs. led 电流
图示 10. led 落后 电压 vs. 温度
–40
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
–40 –20 0 20 40 60 80
包围的 温度 (

c )
17307
I
F
= 5 毫安
V
L
= 6 v
normalized 至 25  c

改变 在 电流 linit  ( % )
–2
0
2
4
6
8
10
0 4 8 12 16 20
led 电流 ( 毫安 )
17308
I
L
= 50 毫安
norm. 在 i   = 5 毫安
F
交流/直流 r–on 变化  ( % )
1.04
1.08
1.12
1.16
1.20
1.24
–40 –20 0 20 40 60 80
温度 (

c )
17309
I
L
= 100 毫安
led 落后 电压 ( v )

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www.vishay.com 4 文档号码 83816 rev. 1.3, 26-oct-04 lh1518aab/ aabtr/ 在 vishay 半导体图示 5. 转变损坏电压 vs. 温度图示 6. 转变损坏电压 vs. 加载电流图示 7. 加载电流 vs. 加载电压 –12 –10 –8 –6 –4 –2 0 2 4 6 8 –40 –20 0 20 40 60 80 包围的温度 (  c ) 17304 I F = 0 I L  50  一个 normalized 至 25 c  改变在损坏电压 ( % ) 0 10 20 30 40 50 0 100 200 300 400 500 加载电压 ( v ) 17305 t = 85  C 加载电流 ( 一个 ) t = 25  C t = –40  C  I F = 0 I L  50  一个 0 100 200 300 012345 加载电压 ( v ) 17306 t = 85  C 加载电流 ( 毫安 ) t = 25  C t = –40  C I F = 5 毫安图示 8. 电流限制 vs. 温度图示 9. 变化在在-resistance vs. led 电流图示 10. led 落后电压 vs. 温度 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 –40 –20 0 20 40 60 80 包围的温度 (  c ) 17307 I F = 5 毫安 V L = 6 v normalized 至 25 c  改变在电流 linit ( % ) –2 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 led 电流 ( 毫安 ) 17308 I L = 50 毫安 norm. 在 i = 5 毫安 F 交流/直流 r–on 变化 ( % ) 1.04 1.08 1.12 1.16 1.20 1.24 –40 –20 0 20 40 60 80 温度 (  c ) 17309 I L = 100 毫安 led 落后电压 ( v )

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