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ST62T53C/t60c/t63C ST62E60C
记忆 编排
(内容’d)
1.3.7 可擦可编程只读存储器 描述
可擦可编程只读存储器 记忆 是 located 在 64-字节 页 在
数据 空间. 这个 记忆 将 是 使用 用 这 用户
程序 为 非-易变的 数据 存储.
数据 空间 从 00h 至 3Fh 是 paged 作 描述
在 表格 4. 可擦可编程只读存储器 locations 是 accessed di-
rectly 用 寻址 这些 paged sections 的 数据
空间.
这 可擦可编程只读存储器 做 不 需要 专心致志的 instruc-
tions 为 读 或者 写 进入. Once 选择 通过 这
数据 内存 Bank 寄存器, 这 起作用的 可擦可编程只读存储器
页 是 控制 用 这 可擦可编程只读存储器 控制 regis-
ter (eectl), 这个 是 描述 在下.
位 E20FF 的 这 EECTL 寄存器 必须 是 重置 较早的
至 任何 写 或者 读 进入 至 这 可擦可编程只读存储器. 如果 非
bank 有 被 选择, 或者 如果 E2OFF 是 设置, 任何 交流-
cess 是 meaningless.
程序编制 必须 是 使能 用 设置 这
E2ENA 位 的 这 EECTL 寄存器.
这 E2BUSY 位 的 这 EECTL 寄存器 是 设置 当
这 可擦可编程只读存储器 是 performing 一个 程序编制 循环.
任何 进入 至 这 可擦可编程只读存储器 当 E2BUSY 是 设置
是 meaningless.
提供 E2OFF 和 E2BUSY 是 重置, 一个 eep-
只读存储器 location 是 读 just 像 任何 其它 数据 loca-
tion, 也 在 条款 的 进入 时间.
Writing 至 这 可擦可编程只读存储器 将 是 carried 输出 在 二
模式: 字节 模式 (bmode) 和 并行的 模式
(pmode). 在 bmode, 一个 字节 是 accessed 在 一个
时间, 当 在 PMODE 向上 至 8 字节 在 这 一样
行 是 编写程序 同时发生地 (和 conse-
quent 速 和 电源 消耗量 有利因素,
这 latter 正在 特别 重要的 在 电池
powered 电路).
一般 注释
:
数据 应当 是 写 直接地 至 这 将 ad-
dress 在 可擦可编程只读存储器 空间. 那里 是 非 缓存区 mem-
ory 在 数据 内存 和 这 可擦可编程只读存储器 空间.
当 这 可擦可编程只读存储器 是 busy (e2busy = “1”)
EECTL 不能 是 accessed 在 写 模式, 它 是
仅有的 可能 至 读 这 状态 的 e2busy. 这个
implies that 作 长 作 这 可擦可编程只读存储器 是 busy, 它 是
不 可能 至 改变 这 状态 的 这 可擦可编程只读存储器
控制 寄存器. EECTL 位 4 和 5 是 保留
和 必须 从不 是 设置.
小心 是 必需的 当 dealing 和 这 EECTL reg-
ister, 作 一些 位 是 写 仅有的. 为 这个 reason,
这 EECTL 内容 必须 不 是 改变 当 ex-
ecuting 一个 中断 维护 routine.
如果 它 是 impossible 至 避免 writing 至 这个 寄存器
在里面 一个 中断 维护 routine, 一个 image 的 这
寄存器 必须 是 saved 在 一个 内存 location, 和
各自 时间 这 程序 写 to EECTL 它 必须
也 写 至 这 image 寄存器. 这 image 寄存器
必须 是 写 至 first 所以 那, 如果 一个 中断 oc-
curs 在 这 二 说明, 这 EECTL 将
不 是 影响.
表格 4. 行 Arrangement 为 并行的 Writing 的 可擦可编程只读存储器 Locations
便条
: 这 可擦可编程只读存储器 是 无能 作 soon 作 停止 操作指南 是 executed 在 顺序 至 达到 这 最低
电源-消耗量.
Dataspace
地址.
Banks 0 和 1.
字节 0 1234567
行7 38h-3fh
行6 30h-37h
行5 28h-2fh
行4 20h-27h
行3 18h-1fh
行2 10h-17h
行1 08h-0fh
行0 00h-07h
向上 至 8 字节 在 各自 行 将 是 编写程序 同时发生地 在 并行的 Write 模式.
这 号码 的 有 64-字节 banks (1 或者 2) 是 设备 依赖.
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