STK12C68
october 2003 9 文档 控制 # ml0008 rev 0.4
软件 nonvolatile
RECALL
一个 软件
RECALL
循环 是 initiated 和 一个 sequence
的
读
行动 在 一个 manner 类似的 至 这 软-
ware
STORE
initiation. 至 initiate 这
RECALL
循环,
这 下列的 sequence 的
E
控制
读
opera-
tions 必须 是 执行:
1. 读 地址 0000 (十六进制) 有效的 读
2. 读 地址 1555 (十六进制) 有效的 读
3. 读 地址 0aaa (十六进制) 有效的 读
4. 读 地址 1fff (十六进制) 有效的 读
5. 读 地址 10f0 (十六进制) 有效的 读
6. 读 地址 0f0e (十六进制) Initiate
RECALL
循环
内部,
RECALL
是 一个 二-步伐 程序. 第一, 这
SRAM
数据 是 cleared, 和 第二, 这 nonvolatile
信息 是 transferred 在 这
SRAM
cells. 之后
这 t
RECALL
循环 时间 这
SRAM
将 once 又一次 是
准备好 为
读
和
写
行动. 这
RECALL
运作 在 非 方法 改变 这 数据 在 这 nonvolatile
elements. 这 nonvolatile 数据 能 是 recalled 一个
unlimited 号码 的 时间.
AutoStore
™ 运作
这 stk12c68 能 是 powered 在 一个 的 三
模式.
在 正常的
AutoStore
™ 运作, 这
stk12c68 将 绘制 电流 从 v
CCX
至 承担 一个
电容 连接 至 这 v
CAP
管脚. 这个 贮存
承担 将 是 使用 用 这 碎片 至 执行 一个 单独的
STORE
运作. 之后 电源 向上, 当 这 电压
在 这 v
CAP
管脚 drops 在下 v
转变
, 这 部分 将
automatically disconnect 这 v
CAP
管脚 从 v
CCX
和
initiate 一个
STORE
运作.
图示 2 显示 这 恰当的 连接 的 电容
为 自动 store operation. 一个 承担 存储
电容 having 一个 capacity 的 在 68
µ
f 和
220
µ
f (
±
20%) 评估 在 6v 应当 是 提供.
在 系统 电源 模式(图示 3), 两个都 v
CCX
和
V
CAP
是 连接 至 这 + 5v 电源 供应 没有
这 68
µ
f 电容. 在 这个 模式 这
AutoStore
™
函数 的 这 stk12c68 将 运作 在 这 贮存
系统 承担 作 电源 变得向下. 这 用户 必须,
不管怎样, 保证 那 v
CCX
做 不 漏出 在下
3.6v 在 这 10ms
STORE
循环.
如果 一个 自动
STORE
在 电源 丧失 是 不 必需的,
然后 v
CCX
能 是 系 至 地面 和 + 5v 应用 至
V
CAP
(图示 4). 这个 是 这
AutoStore
™ inhibit
模式, 在 这个 这
AutoStore
™ 函数 是 无能.
如果 这 stk12c68 是 运作 在 这个 配置,
references 至 v
CCX
应当 是 changed 至 v
CAP
全部地 这个 数据 薄板. 在 这个 模式,
STORE
行动 将 是 triggered 通过 软件 con-
trol 或者 这 hsb
管脚. 它 是 不 permissable 至 改变
在 这些 三 选项 “on 这 fly”.
在 顺序 至 阻止 unneeded
STORE
行动,
自动
STORE
s 作 好 作 那些 initiated 用
externally 驱动 hsb
低 将 是 ignored 除非 在
least 一个
写
运作 有 带去 放置 自从 这
大多数 recent
STORE
或者
RECALL
循环. 软件-
initiated
STORE
循环 是 执行 regardless 的
whether 一个
写
运作 有 带去 放置. 一个
optional 拉-向上 电阻 是 显示 连接 至 hsb
.
这个 能 是 使用 至 signal 这 系统那 这
AutoStore
™ 循环 是 在 progress.
图示 2:
AutoStore
™ 模式
6v, ±20%
68
µ
F
0.1
µ
F
绕过
10k
Ω
+
10k
Ω∗
1
14
28
27
26
15
图示 3: 系统 电源 模式
0.1
µ
F
绕过
10k
Ω
10k
Ω∗
1
14
28
27
26
15
图示 4:
AutoStore
™
inhibit 模式
0.1
µ
F
绕过
10k
Ω
10k
Ω∗
1
14
28
27
26
15
*if hsb 是 不 使用, 它 应当 是 left unconnected.
图示 4:
AutoStore
™
inhibit 模式
0.1
µ
F
绕过
10k
Ω
10k
Ω∗
1
14
28
27
26
15
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