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1.5a 双 高-速 电源 场效应晶体管 驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
© 2001 微芯 技术 公司     ds21422a
tc4426/7/8-8     10/21/96
典型 特性 (
内容.)
安静的 供应 电流 vs. 电压
高-状态 输出 阻抗
T
一个
(
°
c)
4
T
一个
(
°
c)
I
安静的
(毫安)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
i                      (毫安)
安静的
186 8 10 12 14 16
延迟 时间 (nsec)
V
驱动
(v)
60
0.1
–
55
–
35
–
15 5 25 45 65 85 105 125
安静的 供应 电流 vs. 温度
效应 的 输入 振幅 在 延迟 时间 传播 延迟 时间 vs. 温度
4681012
14 16 18
4681012
14 16 18
20
低-状态 输出 阻抗
–
55
–
35
–
15 5 25 45 65 85 105 125
c           = 1000 pf
加载
v      = 10v
DD
t   = +25
°
C
一个
v          = 1000 pf
加载
v      = 18v
DD
t
D2
t
D2
两个都 输入 = 1
两个都 输入 = 0
0246810
t
D1
V
DD
V
DD
V
DD
50
40
30
20
10
延迟 时间 (nsec)
60
50
40
30
20
10
1
25
15
10
8
5
R
ds(在)
(
Ω
)
20
25
15
10
8
5
t
D1
worst 情况 @ t
J
= +150
°
C
典型值 @ t
一个
= +25
°
C
worst 情况 @ t
J
= +150
°
C
典型值 @ t
一个
= +25
°
C
R
ds(在)
(
Ω
)
v      = 18v
DD
两个都 输入 = 1

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5 1.5a 双高-速电源场效应晶体管驱动器 TC4426 TC4427 TC4428 © 2001 微芯技术公司 ds21422a tc4426/7/8-8 10/21/96 典型特性 ( 内容.) 安静的供应电流 vs. 电压高-状态输出阻抗 T 一个 ( ° c) 4 T 一个 ( ° c) I 安静的 (毫安) 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 i (毫安) 安静的 186 8 10 12 14 16 延迟时间 (nsec) V 驱动 (v) 60 0.1 – 55 – 35 – 15 5 25 45 65 85 105 125 安静的供应电流 vs. 温度效应的输入振幅在延迟时间传播延迟时间 vs. 温度 4681012 14 16 18 4681012 14 16 18 20 低-状态输出阻抗 – 55 – 35 – 15 5 25 45 65 85 105 125 c = 1000 pf 加载 v = 10v DD t = +25 ° C 一个 v = 1000 pf 加载 v = 18v DD t D2 t D2 两个都输入 = 1 两个都输入 = 0 0246810 t D1 V DD V DD V DD 50 40 30 20 10 延迟时间 (nsec) 60 50 40 30 20 10 1 25 15 10 8 5 R ds(在) ( Ω ) 20 25 15 10 8 5 t D1 worst 情况 @ t J = +150 ° C 典型值 @ t 一个 = +25 ° C worst 情况 @ t J = +150 ° C 典型值 @ t 一个 = +25 ° C R ds(在) ( Ω ) v = 18v DD 两个都输入 = 1

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