slcs114d − 十一月 1983 − 修订 april 2004
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邮递 办公室 盒 655303
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达拉斯市, 德州 75265
principles 的 运作
输入 保护 电路 运作
德州 器械 专利的 保护 电路系统 准许 为 两个都 积极的-和 负的-going 静电释放 过往旅客.
这些 过往旅客 是 典型 用 极其 快 上升 时间 和 通常地 低 energies 和 能 出现 两个都
当 这 设备 有 所有 管脚 打开 和 当 它 是 安装 在 一个 电路.
积极的 静电释放 过往旅客
最初的 积极的 charged 活力 是 shunted 通过 q1 至 v
SS
. q1 转变 在 当 这 电压 在 这 输入 rises
在之上 这 电压 在 这 v
DD
管脚 用 一个 值 equal 至 这 v
EB
的 q1. 这 根基 电流 增加 通过 r2
和 输入电流 作 q1 saturates. 这 根基 电流 通过 r2 forces 这 电压 在 这 流 和 门 的 q2
至 超过 它的 门槛 水平的 (v
T
~ 22 v 至 26 v) 和 转变 q2 在. 这 shunted 输入 电流 通过 q1 至 v
SS
是 now shunted 通过 这 n-频道 增强-类型 场效应晶体管 q2 至 v
SS
. 如果 这 电压 在 这 输入 管脚
持续 至 上升, 这 损坏 电压 的 这 齐纳 二极管 d3 是 超过, 和 所有 remaining 活力 是
dissipated 在 r1和 d3. 这 损坏 电压 的 d3 是 设计 至 是 24 至 27 v, 这个 是 好 在下 这 门
oxide 电压 的 这 电路 至 是 保护.
负的 静电释放 过往旅客
这 负的 charged 静电释放 过往旅客 是 shunted 直接地 通过 d1. 额外的 活力 是 dissipated 在 r1
和 d2 作 d2 变为 向前 片面的. 这 电压 seen 用 这 保护 电路 是−0.3 v 至 −1 v(这 向前
电压 的 d1 和 d2).
电路-设计 仔细考虑
LinCMOS
产品 是 正在 使用 在 真实的 电路 环境 那 有 输入 电压 那 超过 这
推荐一般模式 输入 电压 范围 和 活动 这 输入 保护 电路. 甚至 下面 正常的
运作,这些 情况 出现 在 电路 电源 向上 或者 电源向下, 和 在 许多 具体情况, 当 这 设备
是 正在 使用 为 一个 信号 conditioning 函数. 这 输入 电压 能 超过 v
ICR
和 不 损坏 这 设备
仅有的 如果 这 输入 是 电流 限制. 这 推荐 电流 限制 显示 在 大多数 产品 数据 薄板 是
±
5 毫安. 图示 5 和 图示 6 显示 典型 特性 为 输入 电压 相比 输入 电流.
正常的 运作 和 准确无误的 输出 状态 能 是预期的 甚至 当 这 输入 电压 超过 这 积极的
供应电压. 又一次, 这 输入 电流 应当 是 externally 限制 甚至 though 内部的 积极的 电流 限制的
是 达到 在 这 输入 保护 电路 用 这 action 的 q1. 当 q1 是 在, 它 saturates 和 限制 这 电流
至 大概 5-毫安 集电级 电流 用 设计. 当 saturated, q1 根基 电流 增加 和 输入
电流. 这个 根基 电流 是 强迫 在 这 v
DD
管脚 和 在 这 设备 i
DD
或者 这 v
DD
供应 通过 r2
producing 这 电流 限制的 影响 显示 在 图示 5. 这个 内部的 限制的 lasts 仅有的 作 长 作 这 输入
电压 是 在下 这 v
T
的 q2.
当 这 输入 电压 超过 这 负的 供应 电压, 正常的 运作 是 影响 和 输出 电压
states 将 不 是 准确无误的. 也, 这 分开 在 途径 的 多样的 设备 (duals 和 quads) 能 是
severely affected. 外部 电流 限制的 必须 是使用 自从 这个 电流 是 直接地 shunted 用 d1 和 d2 和
非 内部的 限制的 是 达到. 如果 正常的 输出 电压 states 是 必需的, 一个 外部 输入 电压 clamp 是
必需的 (看 图示 7).
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