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tle 4279
半导体 组 9 1998-11-01
特性
V
I
=13.5v;
T
j
=
–
40
°
c<
T
j
< 125
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测量
情况
最小值 典型值 最大值
输出 电压
V
Q
4.90 5.00 5.10 V 1 毫安
≤
I
Q
≤
100 毫安
6V
≤
V
I
≤
16 V
电流 限制
I
Q
150 200 500 毫安
–
电流 消耗量;
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
– 150 300
µ
一个
I
Q
≤
1ma,
T
j
<85
°
C
电流 消耗量;
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
– 250 700
µ
一个
I
Q
=10mA
电流 消耗量;
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
–2 8 毫安
I
Q
=50mA
漏出 电压
V
dr
– 0.25 0.5 V
I
Q
=100mA
1)
加载 规章制度
∆
V
Q
–1030mV
I
Q
= 5 毫安 至 100 毫安
线条 规章制度
∆
V
Q
–1040mV
V
I
= 6 v 至 26 V
I
Q
=1mA
重置 发生器
切换 门槛
V
rt
4.50 4.60 4.80 V –
重置 低 电压
V
R
–0.10.4v
R
extern
= 20 k
Ω
延迟 切换
门槛
V
dt
1.4 1.8 2.2 V –
切换 门槛
V
st
0.3 0.45 0.60 V –
重置 延迟 低 电压
V
D
–– 0.1v
V
Q
<
V
RT
承担 电流
I
d
3.0 6.5 9.5
µ
一个
V
D
=1
V
1)
漏出 电压 =
V
I
–
V
Q
(量过的 当 这 输出 电压 有 dropped 100 mv 从 这
名义上的 值 得到 在 13.5 v 输入.)

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tle 4279 半导体组 9 1998-11-01 特性 V I =13.5v; T j = – 40 ° c< T j < 125 ° C 参数标识限制值单位测量情况最小值典型值最大值输出电压 V Q 4.90 5.00 5.10 V 1 毫安 ≤ I Q ≤ 100 毫安 6V ≤ V I ≤ 16 V 电流限制 I Q 150 200 500 毫安 – 电流消耗量; I q = I I – I Q I q – 150 300 µ 一个 I Q ≤ 1ma, T j <85 ° C 电流消耗量; I q = I I – I Q I q – 250 700 µ 一个 I Q =10mA 电流消耗量; I q = I I – I Q I q –2 8 毫安 I Q =50mA 漏出电压 V dr – 0.25 0.5 V I Q =100mA 1) 加载规章制度 ∆ V Q –1030mV I Q = 5 毫安至 100 毫安线条规章制度 ∆ V Q –1040mV V I = 6 v 至 26 V I Q =1mA 重置发生器切换门槛 V rt 4.50 4.60 4.80 V – 重置低电压 V R –0.10.4v R extern = 20 k Ω 延迟切换门槛 V dt 1.4 1.8 2.2 V – 切换门槛 V st 0.3 0.45 0.60 V – 重置延迟低电压 V D –– 0.1v V Q < V RT 承担电流 I d 3.0 6.5 9.5 µ 一个 V D =1 V 1) 漏出电压 = V I – V Q (量过的当这输出电压有 dropped 100 mv 从这名义上的值得到在 13.5 v 输入.)

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