tlv2322, tlv2322y, tlv2324, tlv2324y
LinCMOS
低-电压 低-电源
运算的 放大器
slos187 – 二月 1997
2
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
描述 (持续)
低-电压 和 低-电源 运作 有 被 制造 可能 用 使用 这 德州 器械 硅-门
lincmos 技术. 这 lincmos 处理 也 特性 极其 高 输入 阻抗 和 过激-低 偏差
电流 制造 这些 放大器 完美的 为 接合 至 高-阻抗 来源 此类 作 传感器 电路 或者 过滤
产品.
至 facilitate 这 设计 的 小 可携带的 设备, 这 tlv232x 是 制造 有 在 一个 宽 范围 的 包装
选项, 包含 这 小-外形 和 薄的-shrink 小-外形 包装 (tssop). 这 tssop 包装 有
significantly 减少 维度 对照的 至 一个 标准 表面-挂载 包装. 它的 最大 height 的 仅有的
1.1 mm 制造 它 特别 attractive 当 空间 是 核心的.
这 设备 输入 和 输出 是 设计 至 承受 –100-毫安 电流 没有 sustaining 获得-向上. 这
tlv232x 包含 内部的 静电释放-保护 电路 那 阻止 函数的 failures 在 电压 向上 至 2000 v
作 测试 下面 mil-标准 883c, 方法 3015.2; 不管怎样, 小心 应当 是 exercised 在 处理 这些 设备
作 暴露 至 静电释放 能 结果 在 这 降级 的 这 设备 参数 效能.
tlv2322y 碎片 信息
这个 碎片, 当 合适的 聚集, 显示 特性 类似的 至 这 tlv2322i. 热的 压缩 或者
超声的 使牢固结合 将 是 使用 在 这 掺麻醉剂-铝 使牢固结合 焊盘. 碎片 将 是 挂载 和 传导性的
环氧的 或者 一个 金-硅 初步加工.
使牢固结合 垫子 assignments
碎片 厚度: 15 毫英寸 典型
使牢固结合 焊盘: 4
×
4 毫英寸 最小
T
J
最大值 = 150
°
C
容忍 是
±
10%.
所有 维度 是 在 毫英寸.
+
–
1OUT
1IN +
1IN –
V
DD
V
DD –
/地
(8)
(3)
(2)
(4)
+
–
2OUT
2IN +
2IN –
(5)
(6)
59
72
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