TPS2370D_集成电路资料查询网

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slus537c −8月 2002 − 修订 march 2004
www.德州仪器.com
3
电的 特性
V
DD
= 48 v; t
一个
= 0
°
c 至 70
°
c; 所有 电压 和 电流 是 和 遵守 至 vee;  (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应
补偿 电流 vdd = 1.8 v,   det = 打开 3
I
DD
睡眠 电流 1.8 v
≤
vdd < 10 v,   det = 打开 5 12
一个
I
DET
发现 加载 电流
R
DET
= 24.9 k
Ω
,  vdd = 1.8 v 70 73 76
µ
一个
I
DET
发现 加载 电流
R
DET
= 24.9 k
Ω
,  vdd = 9.5 v 380 390 400
分类 电流 门槛
转变 在 10.0 12.5 14.0
V分类 电流 门槛
转变 止 21.5 22.5 23.5
V
vdd 电流 类 0
0.44 w
≤
P
PoE
≤
12.95 w,
15 v
≤
VDD
≤
20 v,   r
类
= 4.42 k
Ω
2.2 2.5 2.8
vdd 电流 类 1
0.44 w
≤
P
PoE
≤
3.84 w,
15 v
≤
VDD
≤
20 v,   r
类
= 953
Ω
10.4 10.8 11.5
vdd 电流 类 2
3.84 w
≤
P
PoE
≤
6.49 w,
15 v
≤
VDD
≤
20 v,   r
类
= 549
Ω
18.1 18.6 19.5
毫安
vdd 电流 类 3
6.49 w
≤
P
PoE
≤
12.95 w,
15 v
≤
VDD
≤
20 v,   r
类
= 357
Ω
27.7 28.4 29.9
vdd 电流 类 4
保留 为 future 使用,
15 v
≤
VDD
≤
20 v,   r
类
= 255
Ω
38.5 39.6 42.0
vdd 安静的 电流 30 v
≤
VDD
≤
57 v,   r
类
= 255
Ω
500 800
µ
一个
输入 uvlo 门槛
转变 在 38.6 40.2 41.8
输入 uvlo 门槛
转变 止 30.2 31.4 32.6
V
uvlo hysteresis 7.8 8.8 9.8
V
en_直流 下沉 电流 40 80 200
µ
一个
rtn 门槛 为 en_直流 1.2 1.5 1.8 V
dmos r
ds(在)
I
RTN
= 200 毫安 0.15 0.30 0.60
Ω
全部 加载 电流 限制 V
RTN
< 1.5 v 405 455 505
毫安
ilim 电流 限制 程序编制 R
LIM
=  125 k
Ω,
V
RTN
> 1.5 v 在 startup 180 250 300
毫安
热的 关闭 温度 144
°
C
热的 关闭 hysteresis 20
°
C
1
2
3
4
8
7
6
5
ILIM
类
DET
VEE
VDD
NC
en_直流
RTN
d 或者 pw 包装
(顶 视图)

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 slus537c −8月 2002 − 修订 march 2004 www.德州仪器.com 3 电的特性 V DD = 48 v; t 一个 = 0 ° c 至 70 ° c; 所有电压和电流是和遵守至 vee; (除非否则指出) 参数测试情况最小值典型值最大值单位供应补偿电流 vdd = 1.8 v, det = 打开 3 I DD 睡眠电流 1.8 v ≤ vdd < 10 v, det = 打开 5 12 一个 I DET 发现加载电流 R DET = 24.9 k Ω , vdd = 1.8 v 70 73 76 µ 一个 I DET 发现加载电流 R DET = 24.9 k Ω , vdd = 9.5 v 380 390 400 分类电流门槛转变在 10.0 12.5 14.0 V分类电流门槛转变止 21.5 22.5 23.5 V vdd 电流类 0 0.44 w ≤ P PoE ≤ 12.95 w, 15 v ≤ VDD ≤ 20 v, r 类 = 4.42 k Ω 2.2 2.5 2.8 vdd 电流类 1 0.44 w ≤ P PoE ≤ 3.84 w, 15 v ≤ VDD ≤ 20 v, r 类 = 953 Ω 10.4 10.8 11.5 vdd 电流类 2 3.84 w ≤ P PoE ≤ 6.49 w, 15 v ≤ VDD ≤ 20 v, r 类 = 549 Ω 18.1 18.6 19.5 毫安 vdd 电流类 3 6.49 w ≤ P PoE ≤ 12.95 w, 15 v ≤ VDD ≤ 20 v, r 类 = 357 Ω 27.7 28.4 29.9 vdd 电流类 4 保留为 future 使用, 15 v ≤ VDD ≤ 20 v, r 类 = 255 Ω 38.5 39.6 42.0 vdd 安静的电流 30 v ≤ VDD ≤ 57 v, r 类 = 255 Ω 500 800 µ 一个输入 uvlo 门槛转变在 38.6 40.2 41.8 输入 uvlo 门槛转变止 30.2 31.4 32.6 V uvlo hysteresis 7.8 8.8 9.8 V en_直流下沉电流 40 80 200 µ 一个 rtn 门槛为 en_直流 1.2 1.5 1.8 V dmos r ds(在) I RTN = 200 毫安 0.15 0.30 0.60 Ω 全部加载电流限制 V RTN < 1.5 v 405 455 505 毫安 ilim 电流限制程序编制 R LIM = 125 k Ω, V RTN > 1.5 v 在 startup 180 250 300 毫安热的关闭温度 144 ° C 热的关闭 hysteresis 20 ° C 1 2 3 4 8 7 6 5 ILIM 类 DET VEE VDD NC en_直流 RTN d 或者 pw 包装 (顶视图)

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