tps54311, tps54312
tps54313, tps54314
tps54315, tps54316
SLVS416A
–
二月 2002
–
july 2003
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4
电的 特性 (持续)
T
J
=
–
40
°
c 至 125
°
c, vin = 3 v 至 6 v (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
错误 放大器
错误 放大器 打开 循环 电压 增益
(1)
26 dB
错误 放大器 统一体 增益 带宽
(1)
3 5 MHz
pwm 比较器
pwm 比较器 传播 延迟 时间,
pwm 比较器 输入 至 ph 管脚 (ex-
cluding dead 时间)
10 mv overdrive
(1)
70 85 ns
慢-开始/使能
使能 门槛 电压, ss/ena 0.82 1.20 1.40 V
使能 hysteresis 电压, ss/ena
(1)
0.03 V
下落 边缘 deglitch, ss/ena
(1)
2.5
µ
s
TPS54311 2.6 3.3 4.1
TPS54312 3.5 4.5 5.4
TPS54313 4.4 5.6 6.7
内部的 慢-开始 时间
(1)
TPS54314 2.6 3.3 4.1
ms
TPS54315 3.6 4.7 5.6
TPS54316 4.7 6.1 7.6
承担 电流, ss/ena ss/ena = 0 v 3 5 8
µ
一个
释放 电流, ss/ena ss/ena = 0.2 v, V
I
= 1.5 v 1.5 2.3 4 毫安
电源 好的
电源 好的 门槛 电压 vsense 下落 90 %V
ref
电源 好的 hysteresis 电压
(1)
3 %V
ref
电源 好的 下落 边缘 deglitch
(1)
35
µ
s
输出 饱和 电压, pwrgd I
(下沉)
= 2.5 毫安 0.18 0.30 V
泄漏 电流, pwrgd V
I
= 5.5 v 1
µ
一个
电流 限制
V
I
= 3 v, 输出 短接
(1)
4 6.5
电流 限制 trip 要点
V
I
= 6 v, 输出 短接
(1)
4.5 7.5
一个
电流 限制 leading 边缘 blanking 时间
(1)
100 ns
电流 限制 总的 回馈 时间
(1)
200 ns
热的 关闭
热的 关闭 trip 要点
(1)
135 150 165
°
C
热的 关闭 hysteresis
(1)
10
°
C
输出 电源 mosfets
V
I
= 6 v
(2)
59 88
Ω
r
ds(在)
电源 场效应晶体管 switches
V
I
= 3 v
(2)
85 136
m
Ω
(1)
指定 用 设计
(2)
matched mosfets, 低 一侧 r
ds(在)
生产 测试, 高 一侧 r
ds(在)
指定 用 设计