TPS54910
SLVS421B
–
march 2002
–
修订 8月 2002
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4
电的 特性 (持续)
T
J
=
–
40
°
c 至 125
°
c, v
I
= 3 v 至 4 v (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
错误 放大器
错误 放大器 打开 循环 电压 增益 1 k
Ω
竞赛 至 agnd
(1)
90 110 dB
错误 放大器 统一体 增益 带宽 并行的 10 k
Ω
, 160 pf 竞赛 至 agnd
(1)
3 5 MHz
错误 放大器 一般 模式 输入 电压
范围
powered 用 内部的 ldo
(1)
0 VBIAS V
输入 偏差 电流, vsense vsense = v
ref
60 250 nA
输出 电压 回转 比率 (symmetric), 竞赛 1.0 1.4 v/
µ
s
pwm 比较器
pwm 比较器 传播 延迟 时间,
pwm 比较器 输入 至 ph 管脚
(excluding deadtime)
10-mv overdrive
(1)
70 85 ns
慢-开始/使能
使能 门槛 电压, ss/ena 0.82 1.2 1.4 V
使能 hysteresis 电压, ss/ena
(1)
0.03 V
下落 边缘 deglitch, ss/ena
(1)
2.5
µ
s
内部的 慢-开始 时间 2.6 3.35 4.1 ms
承担 电流, ss/ena ss/ena = 0 v 3 5 8
µ
一个
释放 电流, ss/ena ss/ena = 1.3 v, v
I
= 1.5 v 1.5 2.3 4.0 毫安
电源 好的
电源 好的 门槛 电压 vsense 下落 90 %V
ref
电源 好的 hysteresis 电压
(1)
3 %V
ref
电源 好的 下落 边缘 deglitch
(1)
35
µ
s
输出 饱和 电压, pwrgd I
(下沉)
= 2.5 毫安 0.18 0.3 V
泄漏 电流, pwrgd V
I
= 5.5 v 1
µ
一个
电流 限制
电流 限制 V
I
= 3.3 v
(1)
, 输出 短接 11 15 一个
电流 限制 leading 边缘 blanking 时间 100 ns
电流 限制 总的 回馈 时间 200 ns
热的 关闭
热的 关闭 trip 要点
(1)
135 150 165
°
C
热的 关闭 hysteresis
(1)
10
°
C
输出 电源 mosfets
P 场效应晶体管 它 h
V
I
= 3 v
(4)
15 30
Ω
r
ds(在)
电源 场效应晶体管 switches
V
I
= 3.6 v
(4)
14 28
m
Ω
(1)
指定 用 设计
(2)
静态的 resistive 负载 仅有的
(3)
指定 用 这 电路 使用 在 图示 10
(4)
matched mosfets 低-一侧 r
ds(在)
生产 测试, 高-一侧 r
ds(在)
生产 测试.
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