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文档 号码 82210
rev. 1.2, 28-二月-05
tsop348..si1
vishay 半导体
图示 7. 敏锐的 vs. 供应 电压 干扰
图示 8. 敏锐的 vs. electric 地方 干扰
图示 9. 最大值 封套 职责 循环 vs. burstlength
0
.
0
0
.
5
1
.
0
1
.
5
2
.
0
0
.
11
.
010
.
0 100
.
0 1000
.
0
V
s
RM
S
–
交流
Volta
g
e
在
直流
Suppl
y
Volta
g
e
(
mV
)
16
9
12
f = f
o
f =
10
k
Hz
e –
T
h
res
h
old
Irradiance
(
m
w/
m
)
e
最小值
2
f =
1
k
Hz
f =
100
Hz
e –
T
h
res
h
old
Irradiance
(
m
w/
m
)
0
.
00
.4
0
.
81
.
21
.
6
0
.
0
0
.4
0
.
8
1
.
2
2
.
0
e – f
ield
Stren
g
t
h
o
f
Distur
b
ance
(
kV
/
m
)
2
.
0
94
81
4
7
1
.
6
e
最小值
2
f(e) = f
0
0
.
0
0
.
1
0
.
2
0
.
3
0
.4
0
.
5
0
.
6
0
.
7
0
.
8
020
4
0 60 80 100 120
Burst
L
en
g
t
h (
num
b
er
o
f
c
y
cles
/ b
urst
)
16
9
13
f =
38
k
hz, e
e
=
2
m
w/
m
2
M
一个
x. e
n
v
elope
Dut
y
C
y
cle
图示 10. 敏锐的 vs. 包围的 温度
图示 11. 相关的 谱的敏锐的 vs. wavelength
图示 12. directivity
0
.
0
0
.
1
0
.
2
0
.
3
0
.4
0
.
5
0
.
6
–
30
–
15 0 15 30
4
56075
9
0
T
am
b
–
Am
b
ient
温度
(
C
)
16
9
18
Sensiti
v
它
y
在
dark
am
b
ient
e –
T
h
res
h
old
Irradiance
(
m
w/
m
)
e
最小值
2
0
.
0
0
.
2
0
.4
0
.
6
0
.
8
1
.
0
1
.
2
750 850
9
50 1050 1150
λ
-
W
一个
v
elen
g
t
h(
nm
)
16
9
1
9
S
()
-
R
elati
v
e 谱的 Sensiti
v
它
y
λ
rel
96 12223p2
0.4 0.2 0 0.2 0.4
0.6
0.6
0.9
0
30
10
20
40
50
60
70
80
1.0
0.8
0.7
d
rel
– 相关的 传递 距离
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