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资料编号:1051079
 
资料名称:TYN408
 
文件大小: 341K
   
说明
 
介绍:
Silicon controlled rectifiers
 
 


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特性
(最大 值)
标识 参数 单位
Rth (j-一个) 接合面 包围的 60
°
c/w
Rth (j-c) 直流 接合面 情况 直流 TXN 3.5
°
c/w
TYN 2.5
标识 测试 情况 单位
BLANK G
I
GT
V
D
=12V (直流) R
L
=33
Tj=25
°
C 最大值 15 25 毫安
V
GT
V
D
=12V (直流) R
L
=33
Tj=25
°
C 最大值 1.5 V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj= 110
°
C 最小值 0.2 V
tgt V
D
=V
DRM
I
G
= 40mA
dI
G
/dt = 0.5a/
µ
s
Tj=25
°
C 典型值 2
µ
s
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
Tj=25
°
C 典型值 50 毫安
I
H
I
T
= 100mA 打开 Tj=25
°
C 最大值 30 45 毫安
V
TM
ITM= 16A tp= 380
µ
s Tj=25
°
C 最大值 1.8 V
I
DRM
I
RRM
V
DRM
评估
V
RRM
评估
Tj=25
°
C 最大值 0.01 毫安
Tj= 110
°
C2
dv/dt 直线的 斜度 向上 V
D
=67%V
DRM
打开
Tj= 110
°
C 最小值 200 500 v/
µ
s
tq V
D
=67%V
DRM
I
TM
= 16A V
R
= 25V
dI
TM
/dt=30 一个/
µ
sdV
D
/dt= 50v/
µ
s
Tj= 110
°
C 典型值 70
µ
s
P
G (av)
=1W P
GM
= 10W (tp = 20
µ
s) I
FGM
= 4A (tp = 20
µ
s) V
RGM
=5v.
电的 特性
热的 抵制
txn/tyn 058 (g) ---> txn/tyn 1008 (g)
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