2003 Jul 10 2
飞利浦 半导体 产品 规格
双 d-类型 flip-flop 和 设置 和 重置;
积极的-边缘 触发
74hc74; 74hct74
特性
•
宽 供应 电压 范围 从 2.0 至 6.0 V
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
静电释放 保护:
hbm eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
一般 描述
这 74hc/hct74 是 一个 高-速 si-门 cmos 设备
和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl
(lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a.
这 74hc/hct74 是 双 积极的-边缘 triggered, d-类型
flip-flops 和 单独的 数据 (d) 输入, 时钟 (cp) 输入,
设置 (sd) 和 重置 (rd) 输入; 也 complementary
Q 和 Q 输出.
这 设置 和 重置 是 异步的 起作用的 低 输入
和 运作 independently 的 这 时钟 输入. 信息
在 这 数据 输入 是 transferred 至 这 q 输出 在 这
低-至-高 转变 的 这 时钟 脉冲波. 这 d 输入
必须 是 稳固的 一个 设置-向上 时间 较早的 至 这 低-至-高
时钟 转变 为 predictable 运作.
施密特-触发 action 在 这 时钟 输入 制造 这 电路
高级地 tolerant 至 slower 时钟 上升 和 下降 时间.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
=6ns
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 加载 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 为 74hc74 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
为 74hct74 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
−
1.5 v.
标识 参数 情况
典型
单位
HC HCT
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 C
L
= 15 pf; v
CC
=5V
nCP 至 nq, n
Q1415ns
n
SD 至 nq, nQ1518ns
n
RD 至 nq, nQ1618ns
f
最大值
最大 时钟 频率 76 59 MHz
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 flip-flop 注释 1 和 2 24 29 pF
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