IRFP250N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
10/09/00
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 30
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 21 一个
I
DM
搏动 流 电流
120
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 214 W
直线的 减额 因素 1.4 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
315 mJ
I
AR
avalanche 电流
30 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
21 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
8.6 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.7
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 40
热的 阻抗
www.irf.com 1
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固 设备 设计 那
hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个
极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-247 包装 是 preferred 为 商业的-工业的 产品 在哪里
高等级的 电源 水平 preclude 这 使用 的 至-220 设备. 这 至-247 是 类似的
但是 更好的 至 这 早期 至-218 包装 因为 的 它的 分开的 挂载 孔.
描述
V
DSS
= 200v
R
ds(在)
= 0.075
Ω
I
D
= 30a
S
D
G
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
使容易 的 paralleling
简单的 驱动 (所需的)东西
至-247ac
pd - 94008
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