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irf640n/s/l
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 11a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 167 251 ns T
J
= 25°c, i
F
= 11a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 929 1394 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
18
72
一个
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 200 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.25 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.15
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 11a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 6.8 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 11a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 200v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 160v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 67 I
D
= 11a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 11 nC V
DS
= 160v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 33 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 10 ––– V
DD
= 100v
t
r
上升 时间 ––– 19 ––– I
D
= 11a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 23 ––– R
G
= 2.5
Ω
t
f
下降 时间 ––– 5.5 ––– R
D
= 9.0
Ω
, 看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 1160 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 185 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 53 ––– pF ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
nH
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
L
D
内部的 流 电感
L
S
内部的 源 电感 ––– –––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.0
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
––– 62
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
––– 40
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