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资料编号:1054029
 
资料名称:APM7312K
 
文件大小: 119.58K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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





(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
APM7312K
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
动态 特性
b
R
G
门 阻抗 V
GS
=0v,v
DS
=0v,f=1mhz 2.7
C
iss
输入 电容 450
C
oss
输出 电容 100
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0v,
V
DS
=15v,
频率=1.0mhz
60
pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 6 12
T
r
转变-在 上升 时间 5 10
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 16 30
T
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=10v, r
L
=10
,
I
DS
=1a, v
GEN
=4.5v,
R
G
=6
5 10
ns
注释:
一个 : 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
b : 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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