rev.1.1 电池 保护 ic
为 一个 单独的-cell 包装
s-8241 序列
seiko 器械 inc 5
度量 电路
除非 否则 指定, 这 输出 电压 水平 "h" 和 "l" 在 co 和 做 管脚 是 judged 用 这
门槛 电压 (1.0 v) 的 一个 nch 场效应晶体管. judge 这 co 管脚 水平的 和 遵守 至 vm 和 这 做 管脚 水平的
和 遵守 至 vss.
(1) 度量 情况 1, 度量 电路 1
在 承担 发现 电压, 在 承担 释放 电压, 在 释放 发现 电压,
在 释放 释放 电压
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. 增加 v1 从 3.5 v gradually. 这 电压
在 vdd 和 vss 当 co='l' 是 这 在 承担 发现 电压 (vcu).
decrease v1 gradually. 这 电压 在 vdd 和 vss 当 co='h' 是 这 在 承担 释放
电压 (vcl). 更远 decrease v1 gradually. 这 电压 在 vdd 和 vss 当 做='l' 是
这 在 释放 发现 电压 (vdl). 增加 v1 gradually. 这 电压 在 vdd 和
vss 当 做='h' 是 这 在 释放 释放 电压 (vdu).
(2) 度量 情况 2, 度量 电路 1
在 电流 1 发现 电压, 在 电流 1 释放 电压, 在 电流 2 发现 电压,
加载 短的-circuiting 发现 电压
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. 增加 v2 从 0 v gradually. 这 电压
在 vm 和 vss 当 做='l' 是 这 在 电流 1 发现 电压 (viov1).
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. 增加 v2 从 0 v 在 一个 比率 的 1 ms 至 4 ms.
这 电压 在 vm 和 vss 当 做='l' 是 这 在 电流 2 发现 电压 (viov2).
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. 增加 v2 从 0 v 在 一个 比率 的 1
s 至 50
s.
这 电压 在 vm 和 vdd 当 做='l' 是 这 加载 短的-circuiting 发现 电压
(vshort).
(3) 度量 情况 3, 度量 电路 1
charger 发现 电压, (=abnormal 承担 电流 发现 电压)
设置 v1=1.8v 和 v2=0v 下面 在 释放 情况. 增加 v1 gradually, 设置
v1=(vdu+vdl)/2 (在里面 在 释放 hysterisis, 在 释放 情况), 然后 decrease v2 从
0 v gradually. 这 电压 在 vm 和 vss 当 做='h' 是 这 charger 发现 电压
(vcha).
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. decrease v2 从 0 v gradually. 这 电压
在 vm 和 vss 当 co='l' 是 这 abnormal 承担 电流 发现 电压.
这 abnormal 承担 电流 发现 电压 有 这 一样 值 作 这 charger 发现 电压.
(4) 度量 情况 4, 度量 电路 1
正常的 运作 消耗量 电流, 电源-向下 消耗量 电流
设置 v1=3.5v 和 v2=0v 下面 正常的 情况. 这 电流 idd 流 通过 vdd 管脚 是 这
正常的 运作 消耗量 电流 (iope).
设置 v1=v2=1.5v 下面 在 释放 情况. 这 电流 idd 流 通过 vdd 管脚 是 这
电源-向下 消耗量 电流 (ipdn).
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