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january 1995 7
飞利浦 半导体 产品 规格
14-平台 波纹-carry 二进制的 计数器/分隔物
和 振荡器
HEF4060B
MSI
图.7 典型 向前 跨导 g
fs
作 一个
函数 的 这 供应 电压 在 t
amb
= 25
°
c.
一个: 平均
b: 平均 + 2 s,
c: 平均
−
2 s, 在哪里 ‘s’ 是 这 observed 标准 背离.
图.8 rc 振荡器 频率 作 一个 函数 的
R
t
和 c
t
在 v
DD
= 5 至 15 v; t
amb
=25
°
c.
C
t
曲线 在 r
t
= 100 k
Ω
; r2 = 470 k
Ω
.
R
t
曲线 在 c
t
= 1 nf; r2 = 5 r
t
.
图.9 振荡器 频率 背离 (
∆
f
osc
) 作 一个 函数 的 包围的 温度; 关联 在: f
osc
在
T
amb
=25
°
c 和 v
DD
= 10 v.
___ R
t
= 100 k
Ω
; c
t
= 1 nf; r2 = 0.
--- R
t
= 100 k
Ω
;c
t
= 1 nf; r2 = 300 k
Ω
.

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january 1995 7 飞利浦半导体产品规格 14-平台波纹-carry 二进制的计数器/分隔物和振荡器 HEF4060B MSI 图.7 典型向前跨导 g fs 作一个函数的这供应电压在 t amb = 25 ° c. 一个: 平均 b: 平均 + 2 s, c: 平均 − 2 s, 在哪里 ‘s’ 是这 observed 标准背离. 图.8 rc 振荡器频率作一个函数的 R t 和 c t 在 v DD = 5 至 15 v; t amb =25 ° c. C t 曲线在 r t = 100 k Ω ; r2 = 470 k Ω . R t 曲线在 c t = 1 nf; r2 = 5 r t . 图.9 振荡器频率背离 ( ∆ f osc ) 作一个函数的包围的温度; 关联在: f osc 在 T amb =25 ° c 和 v DD = 10 v. ___ R t = 100 k Ω ; c t = 1 nf; r2 = 0. --- R t = 100 k Ω ;c t = 1 nf; r2 = 300 k Ω .

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