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资料编号:1054179
 
资料名称:IRFL014N
 
文件大小: 174.23K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFL014N
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
50
100
150
200
250
300
350
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V , f =1MHz
C=C+c , cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
iss
gs gd ds
rss
gd
oss ds
gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0246810
Q, total gateCharge (nc)
G
v , gate-至-source voltage (v)
GS
一个
i = 1.7一个
V=44V
V=28V
V=11V
为 测试 电路
S EEURE9
D
DS
DS
DS
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
t = 25°c
t = 150°c
J
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 voltage (v)
i , reverseDra在 current (一个)
SD
SD
一个
0.1
1
10
100
1 10 100
V, dra在-至-sourceVoltage (v)
DS
i , drain current (一个)
OPE RATION在 这个一个RE一个LIMITE D
BYR
D
ds(在)
100µs
1ms
10ms
一个
t =25°C
t =150°C
Sin
gle P u ls e
一个
J
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