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2SD468
4
集电级 至 发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
(v)
1 10 100 1,000
25
°
cta = 75
°
C
I
C
= 10 i
B
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
3 30 300
增益 带宽 产品 vs.
集电级 电流
集电级 电流  i
C
(毫安)
增益 带宽 产品  f
T
(mhz)
1,00030 10010 300
300
200
100
0
V
CE
= 2 v
集电级 输出 电容 vs.
集电级 至 根基 电压
集电级 至 根基 电压  v
CB
(v)
集电级 输出 电容  c
ob
(pf)
f = 1 mhz
I
E
= 0
1
200
100
50
20
10
5
52021050

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2SD468 4 集电级至发射级饱和电压 vs. 集电级电流集电级电流 i C (毫安) 集电级至发射级饱和电压 V ce(sat) (v) 1 10 100 1,000 25 ° cta = 75 ° C I C = 10 i B 0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0 3 30 300 增益带宽产品 vs. 集电级电流集电级电流 i C (毫安) 增益带宽产品 f T (mhz) 1,00030 10010 300 300 200 100 0 V CE = 2 v 集电级输出电容 vs. 集电级至根基电压集电级至根基电压 v CB (v) 集电级输出电容 c ob (pf) f = 1 mhz I E = 0 1 200 100 50 20 10 5 52021050

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