九月 1993 2
飞利浦 半导体 产品 规格
octal d-类型 flip-flop 和 重置;
积极的-边缘 触发
74hc/hct273
特性
•
完美的 缓存区 为 mos 微处理器 或者 记忆
•
一般 时钟 和 主控 重置
•
第八 积极的 边缘-triggered d-类型 flip-flops
•
看 “377” 为 时钟 使能 版本
•
看 “373” 为 transparent 获得 版本
•
看 “374” 为 3-状态 版本
•
输出 能力; 标准
•
I
CC
类别: msi
一般 描述
这 74hc/hct273 是 高-速 si-门 cmos 设备
和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl
(lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a.
这 74hc/hct273 有 第八 边缘-triggered, d-类型
flip-flops 和 单独的 d 输入 和 q 输出. 这
一般 时钟 (cp) 和 主控 重置 (mr) 输入 加载 和
重置 (clear) 所有 flip-flops 同时发生地.
这 状态 的 各自 d 输入, 一个 设置-向上 时间 在之前 这
低-至-高 时钟 转变, 是 transferred 至 这
相应的 输出 (q
n
) 的 这 flip-flop.
所有 输出 将 是 强迫 低 independently 的 时钟 或者
数据 输入 用 一个 低 电压 水平的 在 这 mr 输入.
这 设备 是 有用的 为 产品 在哪里 这 真实 输出
仅有的 是 必需的 和 这 时钟 和 主控 重置 是
一般 至 所有 存储 elements.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
= 6 ns
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w):
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+ ∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz
f
o
= 输出 频率 在 mhz
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf
V
CC
= 供应 电压 在 v
2. 为 hc 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
为 hct 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
−
1.5 v
订货 信息
看
“74hc/hct/hcu/hcmos 逻辑 包装 information”
.
标识 参数 情况
典型
单位
HC HCT
t
phl/
t
PLH
传播 延迟 C
L
= 15 pf; v
CC
=5 v
cp 至 q
n
15 15 ns
mr 至 q
n
15 20 ns
f
最大值
最大 时钟 频率 66 36 MHz
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 flip-flop 注释 1 和 2 20 23 pF
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