rev. 0.3 / 十一月 2005 4
初步的
hy27uf084g2m 序列
4gbit (512mx8bit)与非 flash
特性 summary
高 密度 与非 flash memories
- 费用 有效的 解决方案 为 mass 存储 产品
与非 接口
- x8 宽度.
- 多路复用 地址/ 数据
- 引脚 兼容性 为 所有 densities
供应 电压
- 3.3v 设备: vcc = 2.7 至 3.6v : hy27uf084g2m
记忆 cell 排列
= (2k+ 64) 字节 x 64 页 x 4,096 blocks
页 大小
- x8 设备 : (2k + 64 spare) 字节
: hy27uf084g2m
块 大小
- x8 设备: (128k + 4k spare) 字节
页 读 / 程序
- 随机的 进入: 25us (最大值.)
- sequential 进入: 30ns (最小值.)
- 页 程序 时间: 200us (典型值.)
copy 后面的程序 模式
- 快 页 copy 没有 外部 buffering
cache 程序 模式
- 内部的 cache 寄存器 至 改进 这 程序
throughput
快 块 擦掉
- 块 擦掉 时间: 2ms (典型值.)
状态 寄存器
电子的 signature
- 生产者 代号
- 设备 代号
碎片 使能 don't 小心
选项
- 简单的 接口 和 微控制器
自动 页 0 读 在 电源-向上 选项
- 激励 从 与非 支持
- 自动 记忆 下载
串行 号码 选项
硬件 数据 保护
- 程序/擦掉 锁 在 电源 transitions
数据 integrity
- 100,000 程序/擦掉 循环
- 10 年 数据 保持
包装
- hy27uf084g2m-t(p)
: 48-管脚 tsop1 (12 x 20 x 1.2 mm)
- hy27uf084g2m-t (含铅的)
- hy27uf084g2m-tp (含铅的 自由)
- hy27uf084g2m-向上
: 52-ulga (12 x 17 x 0.65 mm)
- hy27uf084g2m-向上 (含铅的 自由)
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