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资料编号：1054416
 
资料名称：2SC5336
 
文件大小： 49.2K
   
说明：
 
介绍:
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
 
 


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3
2SC5336
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
nf - 噪音 图示 - db
V
CE
= 10 v
f = 1 gh
Z
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
1 5 10 50
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
交调 扭曲量 vs.
集电级 电流
20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
30 40 50 60 70
IM
2
- intermoduration 扭曲量 - db
V
CE
= 10 v
V
O
= 100 db v/50
Ω
R
g
= r
e
= 50
Ω
IM
2
f = 90 + 100 mh
Z
IM
3
f
= 2
×
200 – 190 mh
Z
在
IM
3
IM
2
µ
噪音 图示 vs. 集电级 电流
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