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资料编号:1054549
 
资料名称:BFP740F
 
文件大小: 157.87K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Germanium RF Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2005-11-08
BFP740F
2
热的 阻抗
参数 标识 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
370
k/w
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
4 4.7 - V
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 13 v,
V
= 0
I
CES
- - 30 µA
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 5 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 0.5 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 3 µA
直流 电流 增益
I
C
= 25 毫安,
V
CE
= 3 v, 脉冲波 量过的
h
FE
160 250 400 -
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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