IRFL110
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R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.54
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 0.90a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 1.1 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 0.90a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 80v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100
nA
V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 8.3 I
D
= 5.6a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 2.3 nC V
DS
= 80v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 3.8 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 6.9 ––– V
DD
= 50v
t
r
上升 时间 ––– 16 –––
ns
I
D
= 5.6a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 15 ––– R
G
= 24
Ω
t
f
下降 时间 ––– 9.4 ––– r
D
= 8.4
Ω,
看 图. 10
nH
C
iss
输入 电容 ––– 180 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 81 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 15 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
5.6a, di/dt
≤
75a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
注释:
V
DD=
25v, 开始 t
J
= 25°c, l = 25 mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 3.0a (看 图示 12)
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 2.5 V T
J
= 25°c, i
S
= 1.5a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 100 200 ns T
J
= 25°c, i
F
= 5.6a
Q
rr
反转 恢复承担 ––– 0.44 0.88 µC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– –––
–––
–––
12
1.5
一个
S
D
G
在 含铅的, 6mm(0.25in)
从 包装 和 中心
的 消逝 联系.
L
S
内部的 源 电感
内部的 流 电感
L
D
––– 4.0 –––
––– 6.0 –––
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.63 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
源-流 比率 和 特性
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